PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

• Main Authors: UNO, SHOICHI, MACHIDA, SHUNTARO, TOKUNAGA, TAKAFUMI, NOJIRI, KAZUO, TAGO, KAZUTAMI, YUNOGAMI, TAKASHI, MAEKAWA, ATSUSHI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 28.12.2000
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A production method for a semiconductor integrated circuit device, which forms a buried wiring structure by burying a conductor film in a recess (4) such as a groove and hole formed in an organic insulating film (2) mainly consisting of organic siloxane constituting an interlayer insulating film, wherein, when a recess (4) such as a groove and hole is to be formed in an organic insulating film (2) with a photoresist film (3), formed previously on the organic insulating film (2), as an etching mask, a plasma dry etching using CF-based gas/N2/Ar gas is effected to prevent an abnormal shape from being formed on the bottom of the recess (4) to thereby form the recess (4). L'invention concerne un procédé de production de dispositif à circuit intégré semi-conducteur, qui comporte l'étape consistant à former une structure de connexions enfouie par enfouissement d'un film conducteur dans un évidement (4) tel qu'une rainure et un trou formés dans un film (2) isolant organique constitué principalement de siloxane organique, et qui constitue un film isolant entre couches. Lorsqu'un évidement (4) tel qu'une rainure et un trou doivent être formés dans un film (2) isolant organique, un film de résine photosensible (3) ayant été formé précédemment sur le film (2) isolant organique pour servir de masque de gravure, on met en oeuvre une gravure à sec au plasma utilisant du gaz à base de CF/N2/Ar afin d'éviter de produire une forme anormale sur la partie inférieure de l'évidement (4), ce qui permet de former l'évidement (4).