PLASMA ETCHING

• Main Author: PONG, CHUNGDEE
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 09.11.2000
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is a method of etching an etch layer (86) using a polycarbonate layer (88) as a mask. The method includes placing an etch structure (80) in a reaction chamber, the etch structure (80) including an etch layer (86) underlying the polycarbornate layer (88), the polycarbonate layer (88) having apertures (90). The etch layer (80) is then etched using a low-pressure high density plasma generated at a pressure in the range of approximately 1 to 30 millitorr where the ionized particle concentration is at least 10 ions/cm , and where the ionized particle concentration is substantially equal throughout the volume of the reaction chamber. To increase the etch rate, the etch structure (80) can be cooled or biased. To decrease the etch rate, an inert gas can be added to the process gas mixture used to form the plasma. L'invention concerne un procédé de gravure d'une couche à graver (86), au moyen d'une couche de polycarbonate (88) faisant office de masque. Ledit procédé consiste à placer une structure à graver (80) dans une chambre à réaction, ladite structure comprenant une couche à graver (86) placée au-dessous de la couche de polycarbonate (88), laquelle présente des ouvertures (90). On grave ensuite la couche au moyen d'un plasma haute densité et basse pression, généré à une pression de l'ordre d'environ 1 à 30 mTorr, la concentration de particules ionisées étant d'au moins 10 ions/cm et la concentration de particules ionisées étant sensiblement égale dans tout le volume de la chambre à réaction. Afin d'augmenter la vitesse d'attaque, la structure à graver (80) peut être refroidie ou polarisée. Afin de réduire la vitesse d'attaque, un gaz inerte peut être ajouté au mélange gazeux utilisé pour la formation du plasma.