METHOD OF CONDITIONING WAFER POLISHING PADS

• Main Authors: ZHANG, DAVID, VOGELGESANG, RALPH, V, ERK, HENRY, F
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 26.10.2000
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS; GRINDING; MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; PERFORMING OPERATIONS; POLISHING; SEMICONDUCTOR DEVICES; TRANSPORTING

A method of conditioning a polishing pad for use with a polishing machine. The method includes installing the polishing pad to be conditioned on the polishing machine's platen (12) and applying a conditioning load force to the pad (20). In addition, the method includes supplying a slurry to the pad at a conditioning flow rate (22). The conditioning load force is greater than a polishing load force applied during a conventional wafer polishing cycle to compress the pad and the conditioning flow rate is greater than a polishing flow rate at which the slurry is supplied during the wafer polishing cycle to load the pad's pores with abrasive material. The method also includes the step of operating the polishing machine for a conditioning cycle while applying the conditioning load force (20) and supplying the slurry at the conditioning flow rate (22). In this manner, the polishing pad is conditioned for use with the polishing machine for subsequently polishing the semiconductor wafers with the conditioned pad. L'invention concerne un procédé de traitement de tampon de polissage s'utilisant avec une machine à polir. Le procédé comporte les étapes consistant à mettre en place le tampon de polissage à traiter sur la plaque (12) de la machine à polir et à appliquer une force de charge de traitement (20) sur le tampon. De plus, le procédé comporte un apport de suspension vers le tampon selon un certain débit (22) de traitement. La force de charge de traitement est supérieure à une force de charge de polissage appliquée au cours d'un cycle de polissage classique de tranche pour comprimer le tampon, et le débit de traitement est supérieur à un débit de polissage auquel la suspension est fournie pendant le cycle de polissage de tranche pour charger les pores du tampon de matière abrasive. Le procédé comporte également l'étape consistant à faire fonctionner la machine à polir pendant un cycle de traitement, alors qu'on applique la force de charge de traitement (20) et que la suspension est fournie selon le débit (22) de traitement. De cette manière, le tampon de polissage est traité pour être utilisé avec la machine à polir, en vue d'un polissage ultérieur de tranches de semi-conducteurs à l'aide du tampon traité.