METHODS OF FORMING MEMORY CELL CAPACITOR PLATES IN MEMORY CELL CAPACITOR STRUCTURES

• Main Author: KEIL, DOUGLAS, L
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 05.10.2000
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

An improved method of forming a memory cell capacitor plate is disclosed. The method of forming a memory cell capacitor plate comprises the steps of depositing a sacrificial layer and forming an opening in the sacrificial layer. Then an electrode material layer which includes a substantially conductive material that remains substantially conductive upon exposure to oxygen is deposited over a top surface of the sacrificial layer and at least partially filling the opening. The method continues with removing a portion of the electrode material layer down to at least about a level of the sacrificial layer's top surface to define a top surface of the memory cell capacitor plate, followed by removal of the sacrificial layer. L'invention concerne un procédé amélioré de formation d'une plaque de condensateur de cellule de mémoire. Le procédé de formation d'une plaque de condensateur de cellule de mémoire consiste à déposer une couche sacrificielle et à former une ouverture dans cette couche sacrificielle. On dépose ensuite par-dessus la surface supérieure de la couche sacrificielle une couche de matière d'électrode contenant une matière sensiblement conductrice, qui demeure sensiblement conductrice après l'exposition à l'oxygène, et remplissant au moins en partie l'ouverture. Le stade suivant du procédé consiste à enlever une partie de la couche du matériau d'électrode, au moins jusqu'au niveau de la surface supérieure de la couche sacrificielle pour définir une surface supérieure de la plaque de condensateur de cellule de mémoire puis à enlever la couche sacrificielle.