METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: HAGIWARA, MASAAKI, AKAHORI, TAKASHI, SENOO, KOUJI, INAZAWA, KOUICHIRO
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 16.03.2000
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A method for manufacturing a semiconductor device having an interlayer insulating film of, e.g., fluorine-added carbon by a simple dual damascene method. An insulating film, e.g., an SiO2 film (3) is formed on a substrate (2), a via hole (31) is made in the SiO2 film (3) by etching, and an upper insulating film, e.g., a CF film (4) is formed over the SiO2 film (3). If the CF film is formed by means of a plasma created from a film forming material having a bad buriability, e.g., C6F6 gas, the CF film is prevented from being buried in the via hole (31) and the CF film (4) is formed over the SiO2 film (3). A trench (41) is made in the CF film (4) by etching, enabling easy formation of a dual damascene having the trench (41) and the via hole (31) integrally continuous with the trench (41). L'invention concerne un procédé de production d'un dispositif à semi-conducteur présentant une couche mince isolante intercouche, par exemple, en carbone additionné de fluor par un simple procédé de double damasquinage. Une couche mince isolante, par exemple, une couche mince SiO3 (3) est formée sur un substrat (2), un trou de passage (31) est formé dans la couche mince SiO2 (3) par attaque chimique, et une couche mince isolante supérieure, par exemple, une couche mince CF (4) est formée sur la couche mince SiO2 (3). Si la couche mince CF est formée au moyen d'un plasma créé à partir d'un matériau filmogène ayant une mauvaise aptitude à l'enfouissement, par exemple un gaz C6F6, on empêche que la couche mince CF ne soit enfouie dans le trou de passage (31) et on forme la couche mince CF (4) sur la couche mince SiO2 (3). Une tranchée (41) est formée dans la couche mince CF4 par attaque chimique, ce qui permet la formation facile d'un double damasquinage avec la tranchée (41) et le trou de passage (31) solidairement continu à la tranchée (41).