COMPOSITION FOR BOTTOM REFLECTION PREVENTIVE FILM AND NOVEL POLYMERIC DYE FOR USE IN THE SAME

A material for forming a bottom reflection preventive film in photolithography, which contains a polymeric dye having repeating units having cylic acetal groups and represented by formula (1). The composition has film-forming properties and gives a bottom reflection preventive film which shows absor...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors NISHIWAKI, YOSHINORI, PAWLOWSKI, GEORG, TANAKA, HATSUYUKI, KIMURA, KEN, PADMANABAN, MUNIRATHNA, KANG, WEN-BING
Format Patent
LanguageEnglish
French
Japanese
Published 20.01.2000
Edition7
Subjects
Online AccessGet full text

Cover

Loading…
More Information
Summary:A material for forming a bottom reflection preventive film in photolithography, which contains a polymeric dye having repeating units having cylic acetal groups and represented by formula (1). The composition has film-forming properties and gives a bottom reflection preventive film which shows absorption at the waelength of exposure light, is satisfactory in step coverage and non-intermixing with a photoresist layer, and has a high etching rate. [R represents H, optionally substituted alkyl, cycloalkyl, or aryl; R represents optionally substituted alkyl or aryl or -COOR (R represents alkyl); R represents optionally substituted alkyl, cycloalkyl, or aryl; D is an organic chromophore absorbing exposure light at wavelengths of 150 to 450 nm and represents optionally substituted aryl, fused aryl, or heteroaryl; m and o each is an integer larger than 0; and n, p, and q each is an integer of 0 or larger.]. L'invention concerne un matériau de formation d'un film empêchant la réflexion de fond en photolithographie, lequel contient un colorant polymère ayant des unités répétées comprenant des groupes acétals cycliques et représenté par la formule (1). La composition présente des propriétés filmogènes et permet d'obtenir un film empêchant la reflexion de fond présentant une absorption à la longueur d'ondes de lumière d'exposition, elle est satisfaisante du point de vue de la couverture échelonnée et ne se mélange pas à une couche de photorésist, elle présente un taux d'attaque chimique élevé. Dans ladite formule [R représente H, alkyle facultativement substitué, cycloalkyle, ou aryle; R représente facultativement alkyle ou aryle substitué ou COOR (R représente alkyle); R représente alkyle facultativement substitué, cycloalkyle ou aryle; D représente un chromophore organique absorbant la lumière d'exposition aux longueurs d'ondes allant de 150 à 450 nm et représente aryle facultativement substitué, aryle fusionné ou hétéroaryle; m et o représentent chacun un nombre entier supérieur à 0; et n, p et q représentent chacun un nombre entier égal ou supérieur à 0.].
Bibliography:Application Number: WO1999JP03333