METHOD FOR FORMING SILICON EPITAXIAL LAYERS

• Main Authors: Kulinich Oleh Anatoliiovych, Kurmashev Shamil Dzhamashevych, Brusenska Galyna Ivanivna, Sofronov Oleksandr Naumovych
• Format: Patent
• Language: English; Russian; Ukrainian
• Published: 25.09.2014
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRICITY; RESISTORS

A method of forming silicon epitaxial layers comprises forming on the surface of semiconductor sublayer dislocations of radiation defect sinks. On the front surface of the silicon sublayer before application of epitaxial layer by pre-oxidation of the sublayer surface and following oxide etching a region of dislocation lattices is formed, with density of (109...1012) m-2. Способ формирования эпитаксиальных слоев кремния включает образование на поверхности полупроводниковой подложки дислокации стоков радиационных дефектов. На фронтальной поверхности кремниевой подложки перед нанесением эпитаксиального слоя путем предварительного окисления поверхности подложки и дальнейшего стравливания слоя оксида создается область дислокационных сеток с плотностью (109...1012) м-2. Спосіб формування епітаксійних шарів кремнію включає створення на поверхні напівпровідникової підкладки дислокації стоків радіаційних дефектів. На фронтальній поверхні кремнієвої підкладки перед нанесенням епітаксійного шару шляхом попереднього окислення поверхні підкладки і подальшого стравлювання шару оксиду створюється область дислокаційних сіток щільністю (109...1012) м-2.