METHOD FOR DETERMINATION OF RECOMBINATION PARAMETERS OF NON-EQUILIBRIUM CHARGE CARRIERS IN SEMICONDUCTORS

• Main Authors: SHEREMET VOLODYMYR MYKOLAIOVYCH, CHYRCHYK SERHII VASYLIOVYCH, KUDRIK YAROSLAV YAROSLAVOVYCH
• Format: Patent
• Language: English; Russian; Ukrainian
• Published: 10.02.2012
• Subjects: INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES; MEASURING; PHYSICS; TESTING

Method for determination of recombination parameters of non-equilibrium charge carriers in semiconductors includes permanent radiation of semiconductor with super-high-frequency electromagnetic wave and lighting surface of semiconductor with light pulse, measurement of ratio of intensities of reflected or transmitted through the sample SHF wave and incident SHF wave. Способ определения рекомбинационных параметров неравновесных носителей заряда в полупроводниках включает постоянное облучение полупроводника сверхвысокочастотной электромагнитной волной и освещение поверхности полупроводника импульсом света, измерение отношения мощностей отраженной или прошедшей через образец СВЧ волны и падающей СВЧ волны. Спосіб визначення рекомбінаційних параметрів нерівноважних носіїв заряду в напівпровідниках включає постійне опромінення напівпровідника надвисокочастотною електромагнітною хвилею і освітлення поверхні напівпровідника імпульсом світла, вимірювання відношення потужностей відбитої або пройденої через зразок НВЧ хвилі і падаючої НВЧ хвилі.