METHOD FOR PRODUCING THERMISTOR MATERIAL BASED ON VANADIUM OXIDE

• Main Authors: CHUIKO OLEKSII OLEKSIIOVYCH, KAURKOVSKA VERONIKA MYKOLAIVNA, HORBYK PETRO PETROVYCH
• Format: Patent
• Language: English; Russian; Ukrainian
• Published: 15.06.2006
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRICITY; HUMAN NECESSITIES; HYGIENE; MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; PREPARATIONS FOR MEDICAL, DENTAL, OR TOILET PURPOSES; RESISTORS; SPECIFIC THERAPEUTIC ACTIVITY OF CHEMICAL COMPOUNDS ORMEDICINAL PREPARATIONS

The proposed method for producing thermistor material based on vanadium oxide by forming a vanadium oxide layer at insulating substrate is distinctive by coating the vanadium oxide layer with a protective layer of divanadium pentaoxide no less than 5 (m in thickness, at a temperature of 433 ... 453 K, for 15 ... 30 minutes, with the following additional oxidation in oxygen flow at a temperature of 463 ... 493 K, for 5 ... 30 minutes. The proposed method provides the stability of the metal-semiconductor phase change in the thermistor material when the material is exposed to moisture and other effects of atmospheric conditions. Предлагаемый способ получения терморезисторного материала на основе оксида ванадия с помощью формирования слоя оксида ванадия на изоляционной подложке отличается тем, что покрывают слой оксида ванадия защитным слоем пентаоксида диванадия толщиной не менее 5 мкм, при температуре 433 ... 453 К, в течение15 ... 30 минут, с последующим дополнительным окислением в потоке кислорода при температуре 463 ... 493 К в течение 5 ... 30 минут. Предлагаемый способ обеспечивает стабильность температуры фазового перехода металл-полупроводник в терморезисторном материале при воздействии влаги и других воздействиях окружающей среды. Спосіб виготовлення терморезистивного матеріалу на основі оксидів ванадію включає формування на діелектричній підкладці шару терморезистивного матеріалу із оксиду ванадію ступеня окиснення нижче +5. На поверхню терморезистивного матеріалу додатково наносять захисний шар пентаоксиду диванадію товщиною не менше 5 мкм при температурі 433-453 К протягом 15-30 хвилин із доокисненням поверхні у потоці кисню при температурі 463-493 К протягом 5-30 хвилин. Забезпечується стабільність температури фазового переходу метал-напівпровідник терморезистивного матеріалу при впливі парів води та інших активних компонентів навколишнього середовища.