Method for production of multilayer NITRide FILM
A method for production of multilayer nitride film WN/TiN/TiOincludes target sputtering, forming a film by ion implantation into the grating of cold polycrystalline tungsten substrate of ionized atoms of titanium target and reactive nitrogen gas. Film of WN/TiN is covered from the outside with layer...
Saved in:
Main Authors | , , |
---|---|
Format | Patent |
Language | English Russian Ukrainian |
Published |
25.06.2010
|
Subjects | |
Online Access | Get full text |
Cover
Loading…
Summary: | A method for production of multilayer nitride film WN/TiN/TiOincludes target sputtering, forming a film by ion implantation into the grating of cold polycrystalline tungsten substrate of ionized atoms of titanium target and reactive nitrogen gas. Film of WN/TiN is covered from the outside with layer of titanium oxide.
Способ получения нитриднои пленки WN/TiN/TiOвключает распыление мишени, формирование пленки в результате ионной имплантации в решетку холодной поликристаллической подложки вольфрама ионизированных атомов титановой мишени и реактивного газа азота. Пленку WN/TiN покрывают снаружи слоем оксида Ti.
Спосіб одержання нітридної плівки WN/TiN/TiOвключає розпилення мішені, формування плівки в результаті іонної імплантації у ґратку холодної полікристалічної підкладки вольфраму іонізованих атомів титанової мішені і реактивного газу азоту. Плівку WN/TiN покривають зовні прошарком оксиду Ті. |
---|---|
Bibliography: | Application Number: UA20090013528U |