Method for production of multilayer NITRide FILM

A method for production of multilayer nitride film WN/TiN/TiOincludes target sputtering, forming a film by ion implantation into the grating of cold polycrystalline tungsten substrate of ionized atoms of titanium target and reactive nitrogen gas. Film of WN/TiN is covered from the outside with layer...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors KLIAHINA NATALIIA AFANASIVNA, VASETSKA LARYSA OLEKSANDRIVNA, DZIUBA VIACHESLAV LEONIDOVYCH
Format Patent
LanguageEnglish
Russian
Ukrainian
Published 25.06.2010
Subjects
Online AccessGet full text

Cover

Loading…
More Information
Summary:A method for production of multilayer nitride film WN/TiN/TiOincludes target sputtering, forming a film by ion implantation into the grating of cold polycrystalline tungsten substrate of ionized atoms of titanium target and reactive nitrogen gas. Film of WN/TiN is covered from the outside with layer of titanium oxide. Способ получения нитриднои пленки WN/TiN/TiOвключает распыление мишени, формирование пленки в результате ионной имплантации в решетку холодной поликристаллической подложки вольфрама ионизированных атомов титановой мишени и реактивного газа азота. Пленку WN/TiN покрывают снаружи слоем оксида Ti. Спосіб одержання нітридної плівки WN/TiN/TiOвключає розпилення мішені, формування плівки в результаті іонної імплантації у ґратку холодної полікристалічної підкладки вольфраму іонізованих атомів титанової мішені і реактивного газу азоту. Плівку WN/TiN покривають зовні прошарком оксиду Ті.
Bibliography:Application Number: UA20090013528U