METHOD FOR PREPARATION OF HIGH-POROUS ZINC SELENIDE LAYERS

The method for obtaining high-porous layers on the surface of zinc selenide includes surface treatment of single-crystal ZnSe by electrochemical etching, according to the utility model, electrochemical etching is carried out by treating a single crystal of ZnSe in a solution of H2O:HNO3=1:1 for 10 m...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors Kovachov Serhii Serhiiovych, Lazarenko Andrii Stepanovych, Sychikova Yana Oleksanrivna, Tykhovod Kateryna Mykolaivna, Medvedenko Oleksandr Mykolaiovych, Bondarenko Viktoriia Volodymyrivna, Shyshkin Hennadii Oleksandrovych, Bohdanov Ihor Tymofiiovych, Pimenov Dmytro Oleksiiovych
Format Patent
LanguageEnglish
Ukrainian
Published 16.03.2022
Online AccessGet full text

Cover

More Information
Summary:The method for obtaining high-porous layers on the surface of zinc selenide includes surface treatment of single-crystal ZnSe by electrochemical etching, according to the utility model, electrochemical etching is carried out by treating a single crystal of ZnSe in a solution of H2O:HNO3=1:1 for 10 min and passing a direct current with a density j=180 mA/cm2. Спосіб отримання високопоруватих шарів на поверхні селеніду цинку включає обробку поверхні монокристалічного ZnSe шляхом електрохімічного травлення, згідно з корисною моделлю електрохімічне травлення проводять обробкою монокристала ZnSe у розчині H2O:HNO3=1:1 протягом 10 хв і пропусканням постійного струму щільністю j=180 мA/cм2.
Bibliography:Application Number: UAU202104632U