Verfahren zur herstellung einer epitaktisch beschichteten halbleiterscheibe

Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung einer epitaktisch beschichteten Halbleiterscheibe, bestehend aus einer Substratscheibe aus monokristallinem Silicium mit einer Vorder- und einer Rueckseite, und mindestens einer Schicht aus Halbleitermaterial, die auf der Vorderseite der Sub...

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Main Authors DR ERWIN-PETER MAYER, DR WOLFGANG SIEBERT
Format Patent
LanguageChinese
English
Published 11.07.1997
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Abstract Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung einer epitaktisch beschichteten Halbleiterscheibe, bestehend aus einer Substratscheibe aus monokristallinem Silicium mit einer Vorder- und einer Rueckseite, und mindestens einer Schicht aus Halbleitermaterial, die auf der Vorderseite der Substratscheibe epitaktisch abgeschieden ist, und durch Her-stellen eines stark dotierten Einkristalls aus Silicium durch tiegelfreies Zonenziehen, Herstellen einer Substrat-scheibe mit polierter Vorderseite aus dem Einkristall und Abscheiden von mindestens einer epitaktischen Schicht aus Halbleitermaterial auf der Vorderseite der Substratscheibe erhalten wird.
AbstractList Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung einer epitaktisch beschichteten Halbleiterscheibe, bestehend aus einer Substratscheibe aus monokristallinem Silicium mit einer Vorder- und einer Rueckseite, und mindestens einer Schicht aus Halbleitermaterial, die auf der Vorderseite der Substratscheibe epitaktisch abgeschieden ist, und durch Her-stellen eines stark dotierten Einkristalls aus Silicium durch tiegelfreies Zonenziehen, Herstellen einer Substrat-scheibe mit polierter Vorderseite aus dem Einkristall und Abscheiden von mindestens einer epitaktischen Schicht aus Halbleitermaterial auf der Vorderseite der Substratscheibe erhalten wird.
Author DR ERWIN-PETER MAYER
DR WOLFGANG SIEBERT
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