Verfahren zur herstellung einer epitaktisch beschichteten halbleiterscheibe

Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung einer epitaktisch beschichteten Halbleiterscheibe, bestehend aus einer Substratscheibe aus monokristallinem Silicium mit einer Vorder- und einer Rueckseite, und mindestens einer Schicht aus Halbleitermaterial, die auf der Vorderseite der Sub...

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Main Authors DR ERWIN-PETER MAYER, DR WOLFGANG SIEBERT
Format Patent
LanguageChinese
English
Published 11.07.1997
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung einer epitaktisch beschichteten Halbleiterscheibe, bestehend aus einer Substratscheibe aus monokristallinem Silicium mit einer Vorder- und einer Rueckseite, und mindestens einer Schicht aus Halbleitermaterial, die auf der Vorderseite der Substratscheibe epitaktisch abgeschieden ist, und durch Her-stellen eines stark dotierten Einkristalls aus Silicium durch tiegelfreies Zonenziehen, Herstellen einer Substrat-scheibe mit polierter Vorderseite aus dem Einkristall und Abscheiden von mindestens einer epitaktischen Schicht aus Halbleitermaterial auf der Vorderseite der Substratscheibe erhalten wird.
Bibliography:Application Number: TW19960103695