METHOD FOR CHECKING EMISSIVE IRREGULARITY OF THERMIONIC CATHODES IN ELECTRONIC DEVICES

FIELD: electronic engineering. SUBSTANCE: specific procedures and conditions are used for measuring current-voltage characteristic and finding specific point on it followed by determination of emissive irregularity index. First one value of current is measured in spatial charge mode and two values o...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors Shur M.B, Margolis L.M
Format Patent
LanguageEnglish
Russian
Published 20.08.1995
Subjects
Online AccessGet full text

Cover

Loading…
More Information
Summary:FIELD: electronic engineering. SUBSTANCE: specific procedures and conditions are used for measuring current-voltage characteristic and finding specific point on it followed by determination of emissive irregularity index. First one value of current is measured in spatial charge mode and two values of current, in saturation mode, and anode voltages corresponding to these currents are found. Then current Iand voltage corresponding to point of transition from spatial charge to saturation mode are determined and then current Iis measured at this voltage. Used as emissive irregularity index is variation factor of current density over emitting surface. Desired accuracy is attained due to elimination of errors related to errors in measuring transition area of characteristic and calculation errors characteristic of known methods. Measurement and calculation procedures are greatly reduced. EFFECT: improved accuracy of emissive irregularity evaluation, reduced labour consumption. 1 dwg Изобретение относится к электронной технике, в частности к способам анализа и контроля качества термокатодов электровакуумных приборов и предназначено для оценки неоднородности плотности тока эмиссии по эмиттирующей поверхности катода эмиссионной неоднородности (ЭН). Целью изобретения является повышение точности оценки ЭН и уменьшение трудоемкости способа. Цель достигается особым порядком и условиями измерения вольтамперной характеристики и специфической точки на ней с последующим определением показателя ЭН. Сначала измеряют одно значение тока в режиме пространственного заряда и два значения тока в режиме насыщения и соответствующие этим токам анодные напряжения. Затем определяют величину тока Iи величину напряжения, соответствующие точке перехода из режима пространственного заряда в режим насыщения, после чего измеряют при этом напряжении значение тока I. В качестве показателя ЭН используют величину коэффициента вариации плотности тока по эмиттирующей поверхностиПовышение точности способа обусловлено исключительно из известных способов ошибок, связанных с ошибками измерения переходной области характеристики и ошибками расчета. Снижение трудоемкости обусловлено существенным уменьшением объема измерений и объема вычислительных работ. 1 ил.
Bibliography:Application Number: SU19884450891