PROCESS OF ENCAPSULATION OF MICROCIRCUITS BY PRESS-COMPOUND

• Main Authors: Katin V.S, Kalinin G.V, Stadnik A.A
• Format: Patent
• Language: English; Russian
• Published: 15.12.1994
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

FIELD: electronics. SUBSTANCE: good semiconductor crystals are mounted on lead-out frames which crystal holders are located under plane of frames. Wire leads are connected to termination pads of crystals and cross-arms of frames. Heat spreading agent is laid into sockets of lower mould for encapsulation, lead-out frames with mounted crystals are installed on them with provision for gap with reference to working plane of lower part of mould. Gap is determined by selection of dimension of height of heat spreading agent, depth of settling of bottom of crystal holder with respect to plane of lead-out frame and depth of socket of lower part of mould so that condition a + b > S is realized where a is height of heat spreading agent, b is depth of settling of bottom of crystal holder, S is depth of socket of lower part of mould. Then lower and upper parts of mould are joined and encapsulation of microcircuits is conducted by pressing with press-compound. Due to realization of specified relationship encapsulation provides for guaranteed contact between heat spreading agent and crystal holder of lead-out frame. This prevents penetration of press-compound between crystal and heat spreading agent which reduces probability of short-circuiting of wire leads to edge of crystal due to skewness of crystal holder, diminishes thermal crystal-case resistance and in the long run increases output of good and reliable microcircuits. EFFECT: increased output of good microcircuits due to reduced probability of shorting of wire leads to edge of semiconductor crystal, enhanced reliability of microcircuits due to reduced thermal crystal-case resistance thanks to prevention of penetration of press-compound between crystal and heat spreading agent. 2 dwg Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при герметизации полупроводниковых интегральных микросхем пресс-композиций. Целью изобретения является увеличение выхода годных за счет уменьшения вероятности замыкания проволочных выводов на край полупроводникового кристалла и повышения надежности микросхем за счет снижения теплового сопротивления кристалл-корпус микросхемы путем исключения попадания пресс-композиции между кристаллом и теплорастекателем. На выводные рамки, кристаллодержатели которых расположены ниже плоскости рамок, монтируют годные полупроводниковые кристаллы, осуществляют присоединение проволочных выводов к контактным площадкам кристаллов и траверсам рамок, укладывают в гнезда нижней пресс-формы для герметизации теплорастекатели и устанавливают на них выводные рамки с присоединенными кристаллами, обеспечивая при этом зазор относительно рабочей плоскости нижней части пресс-формы, который определяют выбором размеров высоты теплорастекателя, глубины осадка дна кристаллодержателя относительно плоскости выводной рамки и глубины гнезда нижней части пресс-формы так, что выполняется отношение a + b > S, где a - высота теплорастекателя, b - глубина осадки дна кристаллодержателя, S - глубина гнезда нижней части пресс-формы. Затем производят смыкание верхней и нижней частей пресс-формы и осуществляют герметизацию(корпусирование) микросхем путем опрессовки пресс-композицией. При этом благодаря выполнению указанного соотношения при герметизации обеспечивается гарантированный контакт между теплорастекателем и кристаллодержателем выводной рамки. Это исключает попадание пресс-композиции между кристаллом и теплорастекателем, что уменьшает вероятность замыкания проволочных выводов на край кристалла из-за переноса кристаллодержателя, снижают тепловое сопротивление кристалл-корпус и в конечном итоге увеличивает выход годных и надежность микросхем. 2 ил.