CESIUM ION BEAM PRODUCTION PROCESS

• Main Authors: Pavlov V.G, Vlasov Ju.A, Bernatskij D.P
• Format: Patent
• Language: English; Russian
• Published: 27.12.1996
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRICITY

FIELD: emission electronics; technology and experimental engineering. SUBSTANCE: process involves cesium supply to point emitter, application of positive potential to emitter in vacuum, cesium deposition on tungsten point in the form of film with concentration of $$$ atm/sq.cm, setting of point temperature between 250 and 600 K, application of electric field of $$$ V/cm intensity on top followed by its reduction to $$$ v/cm. Beam parameters, namely, angular divergence and composition uniformity, are improved, pressure of cesium vapors in vacuum is reduced. EFFECT: provision for producing narrow beam of cesium ions having uniform composition and low angular divergence without bleeding-in cesium vapors. Изобретение относится к эмиссионной электронике и может быть использовано в технологии и экспериментальной технике. Цель изобретения - разработка способа получения узкого пучка ионов цезия однородного состава с малой угловой расходимостью без напуска паров цезия. Способ включает подачу цезия на острийный эмиттер, приложение к эмиттеру положительного электрического потенциала в вакууме, нанесение цезия на вольфрамовое острие в виде пленки концентрацией (2 - 5)*10ат/см. Установление температуры острия в интервале 250 - 600 К, приложение электрического поля с напряженностью на вершине (4 - 10)*10В/см и последующее снижение его до (1-2,5)*10В/см. Улучшены параметры пучка; диаметр, угловая расходимость и однородность состава, а также снижено давление паров цезия в вакуумном объеме.