METHODS FOR CREATING A SEMICONDUCTOR WAFER HAVING PROFILED DOPING

• Main Authors: G.D. Stephen Hudelson, SACHS, Emanuel, LORENZ, Adam, JONCZYK, Ralf, KERNAN, Brian
• Format: Patent
• Language: Arabic; English
• Published: 25.01.2021

تتشكل الرقاقة شبه الموصلة semiconductor wafer على قالب mold يحتوي على مادة إشابة dopant. تقوم مادة الإشابة بإشابة منطقة صهر melt region مجاورة للقالب. بالتالي، يكون تركيز مادة الإشابة أعلى منه في الكتلة المصهورة. تبدأ الرقاقة في التصلب. تنتشر مادة الإشابة بشكل ضعيف في شبه الموصل الصلب solid semiconductor. بعد بدء الرقاقة في التصلب، يمكن ألا تدخل مادة الإشابة في المصهور. بعد ذلك، تركيز مادة الإشابة في المصهور المجاور لسطح الرقاقة أقل مما هو موجود عند بدء تشكيل الرقاقة. تظهر مناطق رقاقية wafer regions جديدة من منطقة صهر يقل فيها تركيز مادة الإشابة مع الوقت. يقوم هذا بوضع تدريج مادة إشابة في الرقاقة، مع وجود التركيز الأعلى بجوار القالب. يمكن تفصيل التدريج. يقوم التدريج بتكوين مجال يمكن أن يعمل كإزاحة أو مجال سطح خلفي. يمكن أن تتضمن وسائل التجميع الشمسية Solar collectors موصلات شبكية مفتوحة open grid conductors وعواكس بصرية optical reflectors أفضل على السطح الخلفي، المتاحة بواسطة مجال السطح الخلفي الكامن intrinsic back surface field. شكل5 A semiconductor wafer forms on a mold containing a dopant. The dopant dopes a melt region adjacent the mold. There, dopant concentration is higher than in the melt bulk. A wafer starts solidifying. Dopant diffuses poorly in solid semiconductor. After a wafer starts solidifying, dopant can not enter the melt. Afterwards, the concentration of dopant in the melt adjacent the wafer surface is less than what was present where the wafer began to form. New wafer regions grow from a melt region whose dopant concentration lessens over time. This establishes a dopant gradient in the wafer, with higher concentration adjacent the mold. The gradient can be tailored. A gradient gives rise to a field that can function as a drift or back surface field. Solar collectors can have open grid conductors and better optical reflectors on the back surface, made possible by the intrinsic back surface field.