METHOD FOR PRODUCING MONOSILANE

• Main Authors: FADEEV L.L, IVASHIN A.M, KVARATSKHELI JU.K, KUDRJAVTSEV V.V, FILINOV V.T, ZHIRKOV M.S, GRISHIN A.V
• Format: Patent
• Language: English; Russian
• Published: 27.04.1997
• Subjects: CHEMISTRY; COMPOUNDS THEREOF; INORGANIC CHEMISTRY; METALLURGY; NON-METALLIC ELEMENTS

FIELD: production of high-purity polycrystalline silicon and semiconducting structures by gas-phase epitaxy methods. SUBSTANCE: method resides in reacting calcium hydride with gaseous silicon tetrafluoride in melt formed by molten salts of lithium and potassium chlorides, silicon tetrafluoride being taken in concentration 50-100% by volume. Silicon tetrafluoride is diluted with nitrogen which is introduced in excess of 2% by weight in relation to stoichiometrical amount. Monosilane thus-produced is subjected to additional purification by adsorption, granular sodium fluoride being used as sorbent. Purification is carried out in two steps: at 130-140 C and at 250-280 C. Monosilane thus-produced has purity 99.998-99.999%. EFFECT: higher efficiency. 3 cl, 1 dwg, 2 tbl Использование: производство высокочистого поликристалличесного кремния, полупроводниковых структур методами газовой эпитаксии. Сущность изобретеиия: способ заключается во взаимодействии гидрида кальция с газообразным тетрафторидом кремния в солевом расплаве хлоридов лития и калия. Тетрафторид кремния используют в концентрации 50 - 100 об. %. Тетрафторид кремния разбавляют азотом. Вводят его в избытке 2 мас. % по отношению к стехиометрическому. Полученный моносилан подвергают дополнительной очистке адсорбцией. В качестве сорбента используют гранулированный фторид натрия. Очистку ведут в две стадии: при 130 - 140 и 250-280С. Положительный эффект: чистота получаемого моносилана 99,998- 99,999%.