METHOD FOR ETCHING THE SURFACE OF SAPPHIRE PLATES

• Main Authors: Muslimov Arsen Emirbegovich, Kanevskij Vladimir Mikhajlovich, Ismailov Abubakar Magomedovich, Butashin Andrej Viktorovich
• Format: Patent
• Language: English; Russian
• Published: 04.05.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; NANOTECHNOLOGY; PERFORMING OPERATIONS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; TRANSPORTING

FIELD: radiation-chemical processing.SUBSTANCE: invention relates to the field of radiation-chemical processing of crystalline materials. The method for etching the surface of sapphire plates includes processing with an electron beam, first a layer of gold 100÷20 nm thick is applied to the sapphire surface, the resulting composite is annealed in air at a temperature of 600÷700°C for 120÷180 minutes to form a discrete structure of gold nanoparticles, and then the surface is irradiated with a continuous beam of electrons with an energy in the range of E≈40÷70 keV, for 2÷5 min.EFFECT: invention makes it possible to form a submicron relief on the supersmooth surface of sapphire plates.3 cl, 3 dwg Изобретение относится к области радиационно-химической обработки кристаллических материалов. Способ травления поверхности сапфировых пластин включает обработку электронным пучком, предварительно на поверхность сапфира наносят слой золота толщиной 100÷120 нм, отжигают полученный композит на воздухе при температуре 600÷700°С, в течение 120÷180 минут для формирования дискретной структуры наночастиц золота, а затем облучают поверхность непрерывным пучком электронов с энергией в диапазоне Е≈40÷70 кэВ, в течение 2÷5 мин. Изобретение обеспечивает возможность формирования субмикронного рельефа на сверхгладкой поверхности сапфировых пластин. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.