INJECTION LASER

• Main Authors: Pikhtin Nikita Aleksandrovich, Podoskin Aleksandr Aleksandrovich, Shashkin Ilya Sergeevich, Slipchenko Sergej Olegovich
• Format: Patent
• Language: English; Russian
• Published: 18.04.2019

FIELD: manufacturing technology.SUBSTANCE: invention can be used to create an injection laser. Essence of the invention lies in the fact that the injection laser includes a laser heterostructure grown on the substrate, having an active region enclosed between the first and second waveguide layers, to which on the outer side are respectively the p-type wide-band emitter layer and the n-type conductivity wide-band emitter layer, which are the limiting layers, a strip-by-ohmic contact adjoining the outer side of the wide-band p-type conductivity emitter, a solid ohmic contact adjoining the outer side of the substrate, injection region under strip-type ohmic contact, enclosed between passive regions, wherein in one of the passive regions there is a relief structure, the relief structure is made on the outer side of at least one passive region in the plane perpendicular to the layers of the heterostructure, at a distance from the nearest injection area boundary with the passive region of not less than 0.1 W, where W is width of injection area, mcm, value of amplitude of relief structure is not less than 10λ, where λ is the working wavelength of the injection laser in free space, mcm, and the ratio of amplitude of the relief structure to its period is equal to at least 2.EFFECT: possibility of simplifying the manufacturing technology while maintaining increased output optical power both in continuous and pulse modes of current pumping.6 cl, 1 tbl, 4 dwg Использование: для создания инжекционного лазера. Сущность изобретения заключается в том, что инжекционный лазер включает выращенную на подложке лазерную гетероструктуру, содержащую активную область, заключенную между первым и вторым волноводными слоями, к которым с внешней стороны примыкают соответственно слой широкозонного эмиттера р-типа проводимости и слой широкозонного эмиттера n-типа проводимости, являющиеся ограничительными слоями, полосковый омический контакт, примыкающий к внешней стороне широкозонного эмиттера р-типа проводимости, сплошной омический контакт, примыкающий к внешней стороне подложки, область инжекции под полосковым омическим контактом, заключенную между пассивными областями, при этом в одной из пассивных областей расположена рельефная структура, рельефная структура выполнена на внешней стороне по меньшей мере одной пассивной области в плоскости, перпендикулярной слоям гетероструктуры, на расстоянии от ближайшей границы области инжекции с пассивной областью не менее 0,1 W, где W - ширина области инжекции, мкм, величина амплитуды рельефной структуры равна не менее 10λ, где λ - рабочая длина волны инжекционного лазера в свободном пространстве, мкм, а отношение амплитуды рельефной структуры к ее периоду равно не менее 2. Технический результат: обеспечение возможности упрощения технологии изготовления при сохранении увеличенной выходной оптической мощности как в непрерывном, так и в импульсном режимах токовой накачки. 5 з.п. ф-лы, 1 табл., 4 ил.