LASER RADIATION PHOTOCONVERTER
FIELD: electronics.SUBSTANCE: invention relates to semiconductor electronics. Photoconverter includes a n-GaAs substrate (1), which is successively coated with a n-AlGaAs back barrier layer (2), a n-GaAs base layer (3), an emitter layer (4) of p-GaAs, layer (5) of a wide-gap window of n-AlGaAs, the...
Saved in:
Main Authors | , , |
---|---|
Format | Patent |
Language | English Russian |
Published |
05.03.2018
|
Subjects | |
Online Access | Get full text |
Cover
Loading…
Abstract | FIELD: electronics.SUBSTANCE: invention relates to semiconductor electronics. Photoconverter includes a n-GaAs substrate (1), which is successively coated with a n-AlGaAs back barrier layer (2), a n-GaAs base layer (3), an emitter layer (4) of p-GaAs, layer (5) of a wide-gap window of n-AlGaAs, the wide-gap stop layer (6) of n-AlGaAs and the contact sublayer (7) of p-GaAs. Thickness of the layer (5) of the wide-gap window of n-AlGaAs, where 0.15<x<0.25, is not less than 1 μm, and in the wide-gap stop-layer (6) from n-AlGaAs the concentration of aluminum is 0.6<y<0.7.EFFECT: photodetector according to the invention has a high level of quantum efficiency in the range of 800-860 nm, as well as a reduced series resistance.3 cl, 3 dwg
Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Фотопреобразователь лазерного излучения включает подложку (1) из n-GaAs, на которую последовательно нанесены слой (2) тыльного барьера из n-AlGaAs, базовый слой (3) из n-GaAs, эмиттерный слой (4) из p-GaAs, слой (5) широкозонного окна из n-AlGaAs, широкозонный стоп-слой (6) из n-AlGaAs и контактный подслой (7) из p-GaAs. Толщина слоя (5) широкозонного окна из n-AlGaAs, где 0,15<x<0,25, составляет не менее 1 мкм, а в широкозонном стоп-слое (6) из n-AlGaAs концентрация у алюминия составляет 0,6<y<0,7. Фотодетектор согласно изобретению обладает высоким уровнем квантовой эффективности в диапазоне 800-860 нм, а также пониженным последовательным сопротивлением. 2 з.п. ф-лы, 3 ил. |
---|---|
AbstractList | FIELD: electronics.SUBSTANCE: invention relates to semiconductor electronics. Photoconverter includes a n-GaAs substrate (1), which is successively coated with a n-AlGaAs back barrier layer (2), a n-GaAs base layer (3), an emitter layer (4) of p-GaAs, layer (5) of a wide-gap window of n-AlGaAs, the wide-gap stop layer (6) of n-AlGaAs and the contact sublayer (7) of p-GaAs. Thickness of the layer (5) of the wide-gap window of n-AlGaAs, where 0.15<x<0.25, is not less than 1 μm, and in the wide-gap stop-layer (6) from n-AlGaAs the concentration of aluminum is 0.6<y<0.7.EFFECT: photodetector according to the invention has a high level of quantum efficiency in the range of 800-860 nm, as well as a reduced series resistance.3 cl, 3 dwg
Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Фотопреобразователь лазерного излучения включает подложку (1) из n-GaAs, на которую последовательно нанесены слой (2) тыльного барьера из n-AlGaAs, базовый слой (3) из n-GaAs, эмиттерный слой (4) из p-GaAs, слой (5) широкозонного окна из n-AlGaAs, широкозонный стоп-слой (6) из n-AlGaAs и контактный подслой (7) из p-GaAs. Толщина слоя (5) широкозонного окна из n-AlGaAs, где 0,15<x<0,25, составляет не менее 1 мкм, а в широкозонном стоп-слое (6) из n-AlGaAs концентрация у алюминия составляет 0,6<y<0,7. Фотодетектор согласно изобретению обладает высоким уровнем квантовой эффективности в диапазоне 800-860 нм, а также пониженным последовательным сопротивлением. 2 з.п. ф-лы, 3 ил. |
Author | Kalyuzhnyj Nikolaj Aleksandrovich Andreev Vyacheslav Mikhajlovich Mintairov Sergej Aleksandrovich |
Author_xml | – fullname: Mintairov Sergej Aleksandrovich – fullname: Andreev Vyacheslav Mikhajlovich – fullname: Kalyuzhnyj Nikolaj Aleksandrovich |
BookMark | eNrjYmDJy89L5WSQ83EMdg1SCHJ08XQM8fT3Uwjw8A_xd_b3C3MNCnEN4mFgTUvMKU7lhdLcDApuriHOHrqpBfnxqcUFicmpeakl8UGhRmYmZqYm5s6GxkQoAQBlMCMr |
ContentType | Patent |
DBID | EVB |
DatabaseName | esp@cenet |
DatabaseTitleList | |
Database_xml | – sequence: 1 dbid: EVB name: esp@cenet url: http://worldwide.espacenet.com/singleLineSearch?locale=en_EP sourceTypes: Open Access Repository |
DeliveryMethod | fulltext_linktorsrc |
Discipline | Medicine Chemistry Sciences |
DocumentTitleAlternate | ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ |
ExternalDocumentID | RU2646547C1 |
GroupedDBID | EVB |
ID | FETCH-epo_espacenet_RU2646547C13 |
IEDL.DBID | EVB |
IngestDate | Fri Jul 19 16:39:35 EDT 2024 |
IsOpenAccess | true |
IsPeerReviewed | false |
IsScholarly | false |
Language | English Russian |
LinkModel | DirectLink |
MergedId | FETCHMERGED-epo_espacenet_RU2646547C13 |
Notes | Application Number: RU20160145473 |
OpenAccessLink | https://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20180305&DB=EPODOC&CC=RU&NR=2646547C1 |
ParticipantIDs | epo_espacenet_RU2646547C1 |
PublicationCentury | 2000 |
PublicationDate | 20180305 |
PublicationDateYYYYMMDD | 2018-03-05 |
PublicationDate_xml | – month: 03 year: 2018 text: 20180305 day: 05 |
PublicationDecade | 2010 |
PublicationYear | 2018 |
RelatedCompanies | Federalnoe gosudarstvennoe byudzhetnoe uchrezhdenie nauki Fiziko-tekhnicheskij institut im. A.F. Ioffe Rossijskoj akademii nauk |
RelatedCompanies_xml | – name: Federalnoe gosudarstvennoe byudzhetnoe uchrezhdenie nauki Fiziko-tekhnicheskij institut im. A.F. Ioffe Rossijskoj akademii nauk |
Score | 3.1399462 |
Snippet | FIELD: electronics.SUBSTANCE: invention relates to semiconductor electronics. Photoconverter includes a n-GaAs substrate (1), which is successively coated with... |
SourceID | epo |
SourceType | Open Access Repository |
SubjectTerms | BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES |
Title | LASER RADIATION PHOTOCONVERTER |
URI | https://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20180305&DB=EPODOC&locale=&CC=RU&NR=2646547C1 |
hasFullText | 1 |
inHoldings | 1 |
isFullTextHit | |
isPrint | |
link | http://utb.summon.serialssolutions.com/2.0.0/link/0/eLvHCXMwY2BQMTJMMk9KSjHWTTNNNtc1SU021U00NU4GnYyYmGZslGZsDlnl62fmEWriFWEawcSQCdsLAz4ntBx8OCIwRyUD83sJuLwuQAxiuYDXVhbrJ2UChfLt3UJsXdSgvWNDC1D6VXNxsnUN8Hfxd1ZzdrYNClXzC7IF1vuga3adgR0lVlArGnTMvmuYE2hTSgFyjeImyMAWADQsr0SIgamoVJiB0xl28ZowA4cvdL4byIRmvWIRBjkfx2DXIIUgRxdP8LCSQoCHf4i_s79fmCuoSSrKoODmGuLsoQu0KB7uqfigULiTjMUYWIB9_VQJBoU00yRz82RgrZxkbmqSZGiQlJRqDOoyJRtaWCaZpVlKMkjiNEYKj5w0AxcodMCLp0xlGFhKikpTZYG1aUmSHDgcAAhUdgg |
link.rule.ids | 230,309,786,891,25594,76903 |
linkProvider | European Patent Office |
linkToHtml | http://utb.summon.serialssolutions.com/2.0.0/link/0/eLvHCXMwfV3NT8IwFH8haMSbokb8wB3MbouOrhQOi4Fuy9CxLXMj3BZat4SLEhjx37etA73orWmT1_alr6-_1_cBcN8zGWHsDRkl5sSwCo6NBUZcZkZclKhXIvLt5Rv2_cx6nuN5A5a7WBiVJ_RTJUcUEsWFvFfqvl79GLEc5Vu5eWBL0fXx5KW2o9fo2BzI86s7Y9uNIyeiOqV2kulhYgu9L8vsUgGUDohAhAopzcYyKGX1W6N4J3AYC2Lv1Sk01ts2tOiu8Fobjqb1f7do1qK3OYNuMHp1Ey0ZORNlVtJiP0ojGoUzVz5Jz0Hz3JT6hpgo328qT7L9ktAFNAXWLy5BKzEjhAutzAi2mPnIWIEkZOLmYMj65bADnT_JXP0zdgctP50GeTAJX67hWHJKOVLhG2hW621xKzRrxbqKJ1-xt3jy |
openUrl | ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info%3Aofi%2Fenc%3AUTF-8&rfr_id=info%3Asid%2Fsummon.serialssolutions.com&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Apatent&rft.title=LASER+RADIATION+PHOTOCONVERTER&rft.inventor=Mintairov+Sergej+Aleksandrovich&rft.inventor=Andreev+Vyacheslav+Mikhajlovich&rft.inventor=Kalyuzhnyj+Nikolaj+Aleksandrovich&rft.date=2018-03-05&rft.externalDBID=C1&rft.externalDocID=RU2646547C1 |