LASER RADIATION PHOTOCONVERTER

• Main Authors: Mintairov Sergej Aleksandrovich, Andreev Vyacheslav Mikhajlovich, Kalyuzhnyj Nikolaj Aleksandrovich
• Format: Patent
• Language: English; Russian
• Published: 05.03.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

FIELD: electronics.SUBSTANCE: invention relates to semiconductor electronics. Photoconverter includes a n-GaAs substrate (1), which is successively coated with a n-AlGaAs back barrier layer (2), a n-GaAs base layer (3), an emitter layer (4) of p-GaAs, layer (5) of a wide-gap window of n-AlGaAs, the wide-gap stop layer (6) of n-AlGaAs and the contact sublayer (7) of p-GaAs. Thickness of the layer (5) of the wide-gap window of n-AlGaAs, where 0.15<x<0.25, is not less than 1 μm, and in the wide-gap stop-layer (6) from n-AlGaAs the concentration of aluminum is 0.6<y<0.7.EFFECT: photodetector according to the invention has a high level of quantum efficiency in the range of 800-860 nm, as well as a reduced series resistance.3 cl, 3 dwg Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Фотопреобразователь лазерного излучения включает подложку (1) из n-GaAs, на которую последовательно нанесены слой (2) тыльного барьера из n-AlGaAs, базовый слой (3) из n-GaAs, эмиттерный слой (4) из p-GaAs, слой (5) широкозонного окна из n-AlGaAs, широкозонный стоп-слой (6) из n-AlGaAs и контактный подслой (7) из p-GaAs. Толщина слоя (5) широкозонного окна из n-AlGaAs, где 0,15<x<0,25, составляет не менее 1 мкм, а в широкозонном стоп-слое (6) из n-AlGaAs концентрация у алюминия составляет 0,6<y<0,7. Фотодетектор согласно изобретению обладает высоким уровнем квантовой эффективности в диапазоне 800-860 нм, а также пониженным последовательным сопротивлением. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.