AUTO-EMISSION SUPER-FREQUENCY DIODE AND METHOD OF ITS MANUFACTURE
FIELD: physics.SUBSTANCE: auto-emission microwave diode contains a vacuum-tight case of cermets, an electron source, an anode with a screw end, a stem and electrical contacts. Instead of the entrance window, a metal plug is provided that is vacuum-tightly connected to the case, the auto cathode is a...
Saved in:
Main Authors | , , , , , , , , |
---|---|
Format | Patent |
Language | English Russian |
Published |
24.08.2017
|
Subjects | |
Online Access | Get full text |
Cover
Loading…
Summary: | FIELD: physics.SUBSTANCE: auto-emission microwave diode contains a vacuum-tight case of cermets, an electron source, an anode with a screw end, a stem and electrical contacts. Instead of the entrance window, a metal plug is provided that is vacuum-tightly connected to the case, the auto cathode is a Si-nanoSi-C-MoC substrate or a Si-nanoSi-C-graphene substrate based on a heterostructure and placed on the inner side of the plug, the electron-withdrawing electrode is made of a metal-carbon or graphene film and positioned between the autocathode and the anode.EFFECT: increasing the auto emission homogeneity for large-area auto-cathodes.1 dwg
Изобретение относится к устройствам вакуумной СВЧ-электроники и может быть использовано в устройствах коммутации тока, в смесителях и в других приборах и устройствах силового сектора СВЧ-электроники. Автоэмиссионный СВЧ-диод содержит вакуумно-плотный корпус из металлокерамики, источник электронов, анод с винтовым окончанием, штенгель и электрические контакты. Вместо входного окна располагают вакуумно-плотно соединенную с корпусом металлическую заглушку, автокатод выполняют на основе гетероструктуры подложка Si-nanoSi-C-MoC либо подложка Si-nanoSi-C-графен и располагают на внутренней стороне заглушки, вытягивающий электроны электрод выполняют из металл-углеродной либо графеновой пленки и располагают между автокатодом и анодом. Технический результат - повышение однородности автоэмиссии для автокатодов большой площади. 1 ил. |
---|---|
Bibliography: | Application Number: RU20150126750 |