ACTIVE ELEMENT OF SEMICONDUCTOR LASER WITH TRANSVERSE PUMPING BY ELECTRON BEAM

• Main Authors: Gamov Nikita Aleksandrovich, Ivanov Sergej Viktorovich, Kozlovskij Vladimir Ivanovich, Marmalyuk Aleksandr Anatolevich, Zverev Mikhail Mitrofanovich, Studenov Valentin Borisovich
• Format: Patent
• Language: English; Russian
• Published: 10.01.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES USING STIMULATED EMISSION; ELECTRICITY

FIELD: laser engineering.SUBSTANCE: active element of semiconductor laser with transverse pumping by electron beam comprises rectangular plate from semiconductor material, having first surface, irradiated with electrons, second surface parallel to first, by which it is fixed on substrate, and two side surfaces, forming optical resonator. Plate is multilayer semiconductor heterostructure, having wave-guiding layer, located next to first surface, and passive wave-guiding layer with low coefficient of absorption of radiation generated in optical resonator, arranged between active wave-guiding layer and substrate, wherein passive wave-guiding layer has optical connection with active wave-guiding layer.EFFECT: technical result consists in increasing of radiation output power with pumping electrons energy reduction.6 cl, 3 dwg Активный элемент полупроводникового лазера с поперечной накачкой электронным пучком содержит прямоугольную пластину из полупроводникового материала, имеющую первую поверхность, облучаемую электронами, вторую поверхность параллельную первой, которой она закреплена на подложке, и две боковые поверхности, образующие оптический резонатор. Пластина представляет собой многослойную полупроводниковую гетероструктуру, имеющую волноводный слой, расположенный вблизи первой поверхности, и пассивный волноводный слой с малым коэффициентом поглощения генерируемого в оптическом резонаторе излучения, расположенный между активным волноводным слоем и подложкой, причем пассивный волноводный слой имеет оптическую связь с активным волноводным слоем. Технический результат заключается в повышении выходной мощности излучения при снижении энергии электронов накачки. 5 з.п. ф-лы, 3 ил.