WAVEGUIDE MATCHED LOAD

FIELD: radio engineering and communications.SUBSTANCE: invention relates to radio engineering and radio electronics and can be used for absorption of electromagnetic radiation at the output of microwave waveguide channel, as well as to enter the complex of high-frequency functional units and devices...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors Ponomarev Denis Viktorovich, Skripal Aleksandr Vladimirovich, Usanov Dmitrij Aleksandrovich, Popova Natalija Fedorovna, Meshchanov Valerij Petrovich
Format Patent
LanguageEnglish
Russian
Published 10.11.2016
Subjects
Online AccessGet full text

Cover

Loading…
More Information
Summary:FIELD: radio engineering and communications.SUBSTANCE: invention relates to radio engineering and radio electronics and can be used for absorption of electromagnetic radiation at the output of microwave waveguide channel, as well as to enter the complex of high-frequency functional units and devices. Waveguide matched load includes the first and the second main dielectric layers relative to direction of propagation of electromagnetic wave located in the short-circuited waveguide section and the metal layer with nanometer thickness located between them, at that, the planes of the layers are oriented perpendicular to direction of propagation of electromagnetic wave, herewith, waveguide matched load according to the invention includes an additional dielectric layer placed afore the first main dielectric layer and having relative permittivity value is less than value of relative dielectric permeability of the first main dielectric layer, besides, it comprises at least one matching dielectric layer placed between the additional dielectric layer and the first main dielectric layer and/or between the metal layer and the second main dielectric layer, at that, the value of relative permittivity of matching dielectric layers is less than the value of dielectric permeability of the first main dielectric layer, and it increases towards the metal layer, while the value of relative permittivity of matching dielectric layers arranged between the metal layer and the second main dielectric layer is less than the value of dielectric permeability of the second main dielectric layer, and it increases towards the metal layer.EFFECT: invention enables to design of a wideband waveguide load for absorbing microwave radiation with expanded working range of frequencies, technologically simple in manufacture and with small longitudinal dimensions.5 cl, 10 dwg, 8 tbl, 8 ex Изобретение относится к области радиотехники и радиоэлектроники и может быть использовано для поглощения электромагнитного излучения на выходе сверхвысокочастного волноведущего тракта, а также входить в состав сложных сверхвысокочастотных функциональных узлов и устройств. Волноводная согласованная нагрузка включает размещенные в короткозамкнутом отрезке волновода первый и второй относительно направления распространения электромагнитной волны основные диэлектрические слои и расположенный между ними металлический слой нанометровой толщины, причем плоскости слоев ориентированы перпендикулярно направлению распространения электромагнитной волны, при этом волноводная согласованная нагрузка согласно изобретению содержит дополнительный диэлектрический слой, расположенный перед первым основным диэлектрическим слоем и обладающий величиной относительной диэлектрической проницаемости, меньшей величины относительной диэлектрической проницаемости первого основного диэлектрического слоя, а также содержит по крайней мере один согласующий диэлектрический слой, расположенный между дополнительным диэлектрическим слоем и первым основным диэлектрическим слоем и/или между металлическим слоем и вторым основным диэлектрическим слоем, при этом величина относительной диэлектрической проницаемости согласующих диэлектрических слоев меньше величины диэлектрической проницаемости первого основного диэлектрического слоя и увеличивается по направлению к металлическому слою, а величина относительной диэлектрической проницаемости согласующих диэлектрических слоев, расположенных между
Bibliography:Application Number: RU20150120704