METHOD AND DEVICE FOR DETERMINING DIFFUSION LENGTH OF CHARGE CARRIERS IN SEMICONDUCTOR PLATES

• Main Authors: FEDORTSOV ALEKSANDR BORISOVICH, IVANOV ALEKSEJ SERGEEVICH, MANUKHOV VASILIJ VLADIMIROVICH
• Format: Patent
• Language: English; Russian
• Published: 27.03.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

FIELD: measuring equipment.SUBSTANCE: invention relates to measurement equipment and is intended for contactless nondestructive determination of the diffusion length of charge carriers in semiconductor plates, including coated with a transparent dielectric layer. Method of measuring diffusion length of charge carriers in semiconductor plates involves measuring a signal proportional to concentration of nonequilibrium charge carriers, arising in the point of testing of the semiconductor plate by their diffusion of generation, created at different distances from the point of testing due to formation in these areas of the light spots of small surface area of radiation spectral range of internal photo effect in a semiconductor, constructing an experimental dependence of amplitude of the measured signal from the distance between the light spot and the point of testing, comparison of test subject to similar relationships calculated theoretically. note here that for taking measurements without establishing electric contact with the analysed plate signal proportional to concentration of nonequilibrium charge carriers in the point of testing, is obtained by passing through the plate of infrared radiation with wavelength from the transparency of the analysed semiconductor and measuring intensity of radiation passed through the plate. Also a device for measuring diffusion length of charge carriers in semiconductor plates.EFFECT: invention provides the possibility to measure length of diffusion of charge carriers in semiconductor plates without establishing electric contact with the sample directly in areas where will be manufactured devices, as well as in the plates coated with a layer of transparent dielectric.2 cl, 1 dwg Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для бесконтактного неразрушающего определения диффузионной длины носителей заряда в полупроводниковых пластинах, в том числе покрытых прозрачным слоем диэлектрика. Способ измерения диффузионной длины носителей заряда в полупроводниковых пластинах включает измерение сигнала, пропорционального неравновесной концентрации носителей заряда, возникающей в точке тестирования полупроводниковой пластины вследствие их диффузии из областей генерации, создаваемых на различных расстояниях от точки тестирования за счет формирования в этих областях световых пятен малой площади излучением из спектрального диапазона внутреннего фотоэффекта в полупроводнике, построение опытной зависимости амплитуды измеренного сигнала от расстояния между световым пятном и точкой тестирования, сравнение опытной зависимости с аналогичными зависимостями, рассчитанными теоретически, при этом для проведения измерений без установления электрического контакта с исследуемой пластиной сигнал, пропорциональный неравновесной концентрации носителей заряда в точке тестирования, получают путем пропускания через пластинку инфракрасного излучения с длиной волны из области прозрачности исследуемого полупроводника и измерения интенсивности прошедшего через пластину излучения. Также предложено устройство для измерения длины диффузии носителей заряда в полупроводниковых пластинах. Изобретение обеспечивает возможность выполнять измерения длины диффузии носителей заряда в полупроводниковых пластинах без установления электрического контакта с образцом непоср