METHOD OF PRODUCING SILICON POLYCRYSTALS

• Main Authors: SMIRNOV JURIJ MSTISLAVOVICH, KAPLUNOV IVAN ALEKSANDROVICH, SMIRNOV VLADIMIR IGOREVICH
• Format: Patent
• Language: English; Russian
• Published: 10.12.2015
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

FIELD: chemistry.SUBSTANCE: silicon polycrystals are produced in a vertical apparatus which provides the required temperature gradient, in two cycles of directed crystallisation with addition of a silicon-boron alloy or heavily gallium-doped germanium at the second cycle to obtain p-type silicon, and to obtain n-type silicon - an alloy in the form of heavily arsenic-doped germanium.EFFECT: method provides significant saving owing to the user of cheap raw material - metallurgical black silicon.3 ex Изобретение относится к способам выращивания ориентированных поликристаллов кремния из расплавов методами направленной кристаллизации и рассчитано на получение материала для изготовления пластин для фотоэлектропреобразователей (солнечных батарей) из металлургического кремния. Поликристаллы кремния производятся в вертикальной установке, обеспечивающей необходимый градиент температур, двумя циклами направленной кристаллизации с добавлением на втором цикле для получения кремния p-типа за счет лигатуры кремний - бор или сильно легированного галлием германия, а для получения кремния n-типа - лигатуры в виде сильно легированного мышьяком германия. Предлагаемый способ позволяет получать значительную экономию за счет использования дешевого исходного сырья - металлургического чернового кремния. 3 пр.