METHOD OF DOUBLE-STAGE CONVERSION OF ENERGY OF IONISING RADIATION INTO ELECTRIC ENERGY

• Main Authors: KASHTANOV ALEKSANDR DMITRIEVICH, TROSHCHIEV SERGEJ JUR'EVICH, KUDASHOVA EHLINA ALEKSANDROVNA, KARZOV GEORGIJ PAVLOVICH, TERENT'EV SERGEJ ALEKSANDROVICH, BLANK VLADIMIR DAVYDOVICH, ORYSHCHENKO ALEKSEJ SERGEEVICH
• Format: Patent
• Language: English; Russian
• Published: 27.09.2015
• Subjects: APPLICATIONS OF RADIATION FROM RADIOACTIVE SOURCES, NOTOTHERWISE PROVIDED FOR; NUCLEAR ENGINEERING; NUCLEAR PHYSICS; OBTAINING ENERGY FROM RADIOACTIVE SOURCES; PHYSICS; UTILISING COSMIC RADIATION

FIELD: power engineering.SUBSTANCE: use of dissociated gas is provided, as well as conversion of ultraviolet radiation into electric energy with the help of a semiconductor diamond. A source of alpha radiation emits alpha particles, which in dissociated gas are converted into ultraviolet radiation. On the way of ultraviolet radiation there is a synthetic semiconductor diamond of p-type with a Schottky contact and ohmic contact so that ultraviolet radiation fully or partially gets onto a semiconductor base element-converter on the basis of the synthetic diamond. At the same time electric current is taken from contacts with the help of conductors and is transmitted to a load.EFFECT: exclusion of a complex multi-stage scheme of manufacturing of a semiconductor structure with the possibility of using only low-energy beta sources, increased electrophysical characteristics of ionising radiation energy conversion of different types in a wide range of energies into electric energy.5 cl, 1 tbl, 1 dwg Изобретение относится к способу преобразования энергии ионизирующего излучения в ультрафиолетовое излучение. В заявленном способе предусмотрено использование диссоциирующего газа и преобразование ультрафиолетового излучения в электрическую энергию с помощью полупроводникового алмаза. Источник альфа-излучения испускает альфа-частицы, которые в диссоциирующем газе превращаются в ультрафиолетовое излучение. На пути ультрафиолетового излучения располагается синтетический полупроводниковый алмаз р-типа с контактом Шоттки и омическим контактом так, чтобы ультрафиолетовое излучение полностью или частично попадало на полупроводниковый базовый элемент-преобразователь на основе синтетического алмаза. При этом электрический ток снимается с контактов при помощи проводников и передается потребителю. Техническим результатом изобретения является исключение сложной, многостадийной схемы изготовления полупроводниковой структуры с возможностью использования только низкоэнергетических бета-источников, повышение электрофизических характеристик (радиационная стойкость, напряжение пробоя, подвижность электронов и дырок, теплопроводность) при преобразовании энергии ионизирующего излучения различных видов (альфа-излучение, бета-излучение, ультрафиолетовое излучение) в широком диапазоне энергий в электрическую энергию. 4 з. п. ф-лы, 1 табл., 1 ил.