SILICON MULTI-JUNCTION PHOTOELECTRIC CONVERTER WITH INCLINED STRUCTURE AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF

• Main Authors: BARYSHNIKOV FEDOR MIKHAJLOVICH, LEGOTIN SERGEJ ALEKSANDROVICH, MURASHEV VIKTOR NIKOLAEVICH, LEGOTINA NINA GENNAD'EVNA, KRASNOV ANDREJ ANDREEVICH, SIMAKIN VIKTOR VASIL'EVICH, ABDULLAEV OLEG RAUFOVICH
• Format: Patent
• Language: English; Russian
• Published: 20.04.2014
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION ORPROCESSING OF GOODS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGYGENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION; SEMICONDUCTOR DEVICES; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS; TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINSTCLIMATE CHANGE

FIELD: physics.SUBSTANCE: present invention relates to silicon multi-junction photoelectric converters of solar cell panels. The structure of an "inclined" silicon monocrystalline multi-junction photoelectric converter according to the invention includes diode cells with n-p-p(p-n-n) junctions which are parallel to a horizontal light-receiving surface; the diode cells include n(p) and p(n) regions of n-p-p(p-n-n) junctions through which they are connected into a single structure by metal cathodes and anodes placed on the surface of n(p) and p(n) regions to form corresponding ohmic contacts - connections, wherein the n(p) and p(n) regions and corresponding cathodes and anodes are placed at an angle in the range of 30-60 degrees to the light-receiving surface; the metal cathodes and anodes are placed on their surface partially, and partially lie on the surface of an optically transparent dielectric which is placed on the surface of n(p) and p(n) regions, wherein they form an optical reflector with the metal electrodes and the optically transparent dielectric. Also disclosed is a method of making the described structure of an "inclined" silicon monocrystalline multi-junction photoelectric converter.EFFECT: high efficiency of photoconverters.2 cl, 3 dwg Настоящее изобретение относится к области кремниевых многопереходных фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) солнечных батарей. Конструкция «наклонного» кремниевого монокристаллического многопереходного (МП) фотоэлектрического преобразователя (ФЭП) согласно изобретению содержит диодные ячейки (ДЯ) с n-p-p(р-n-n) переходами, параллельными горизонтальной светопринимающей поверхности, диодные ячейки содержат n(p) и р(n) области n-p-p(p-n-n) переходов, через которые они соединены в единую конструкцию металлическими катодными и анодными электродами, расположенными на поверхности n(p) и p(n) областей с образованием соответствующих омических контактов - соединений, при этом, что n(p) и p(n) области и соответствующие им катодные и анодные электроды расположены под углом в диапазоне 30-60 градусов к светопринимающей поверхности, металлические катодные и анодные электроды расположены на их поверхности частично, а частично расположены на поверхности оптически прозрачного диэлектрика, расположенного на поверхности n(p) и p(n) областей, при этом они с металлическими электродами и оптически прозрачным диэлектриком образуют оптический рефлектор. Также предложен способ изготовления описанной выше конструкции «наклонного» кремниевого монокристаллического многопереходного (МП) фотоэлектрического преобразователя (ФЭП). Техническим результатом изобретения является повышение коэффициента полезного действия фотопреобразователей. 2 н.п. ф-лы, 3 ил.