METHOD OF CRYSTAL GROWTH BY KIROPULOS METHOD

• Main Authors: KONONOVA NADEZHDA GEORGIEVNA, MARTIROSJAN NAIRA SADRAKOVNA, KOKH KONSTANTIN ALEKSANDROVICH, KOKH ALEKSANDR EGOROVICH
• Format: Patent
• Language: English; Russian
• Published: 27.09.2013
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

FIELD: metallurgy.SUBSTANCE: proposed method of crystal growth from the melt or solution-melt comprises crystal growth at starting bar locked at crystal holder at melt surface top point, growing the crystal in growth crucible at slow temperature decrease and cooling the grown crystal. Note here that, after growth cycle, melt or solution-melt remained in crucible is drained via pipe heated by extra heater arranged at crucible bottom while grown crystal is cooled in crucible without melt. Lithium triborate crystal sized to 150×130×80 mm is thus produced with optically qualitative part makes 80-90-volume of grown crystal.EFFECT: ruled out cracking of grown crystal and deformation of platinum crucible melt in slow cooling. Изобретение относится к выращиванию крупных кристаллов, предназначенных для использования в приборах квантовой электроники. Способ выращивания кристалла методом Киропулоса из расплава или из раствор-расплава включает рост кристалла на затравку, зафиксированную в кристаллодержателе и расположенную сверху в центральной точке поверхности расплава, разращивание кристалла в ростовом тигле при медленном снижении температуры и охлаждение выросшего кристалла, при этом по окончании ростового цикла оставшийся в тигле расплав или раствор-расплав сливают через нагретую с помощью дополнительного нагревателя трубку, расположенную в донной части тигля, а выросший кристалл, сохраняющий свое положение после окончания ростового цикла, охлаждают в тигле, освобожденном от расплава. Технический результат - предотвращение растрескивания выросшего кристалла из-за термоупругих напряжений, возникающих в момент подъема кристалла, а также деформации платинового тигля расплавом при его медленном охлаждении. Получают кристалл, например, трибората лития размером 150×130×80 мм, оптически качественная часть которого составляет 80-90% объема выросшего кристалла. 2 ил.