METHOD OF TREATING SUBSTRATES AND SUBSTRATE TREATED USING SAID METHOD

• Main Authors: SAJTO KAZUJA, NAKAMURA KJUZOU, VATANABE KAZUKHIRO, TAKEI KHIDEO, JAMAKAVA KHIROJUKI, IGUTI SINSUKE, LIN' JUJ-KHSYN', CHAN KHUANUN, SAKIO SUSUMU, U TUN-TSZJUN
• Format: Patent
• Language: English; Russian
• Published: 20.08.2012
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

FIELD: physics. ^ SUBSTANCE: method of treating substrates involves sputtering fine particles together with compressed gas from a pipe under pressure onto the surface of a substrate, dispersing the particles, which are charged due to friction with the inner wall of the pipe under pressure, on the surface of the substrate, wherein the charged particles stick to the surface without aggregation, forming a concave-convex structure on the surface of the substrate by etching the surface of the substrate with particles as a mask and simultaneous removal of the mask by etching. ^ EFFECT: possibility of cutting the number of operations of the method of forming a concave-convex structure. ^ 5 cl, 8 dwg Изобретение относится к обработке подложек для получения вогнуто-выпуклой структуры. Сущность изобретения: способ обработки подложек включает в себя распыление мелких частиц вместе со сжатым газом из трубки под давлением на поверхность подложки, диспергирование частиц, заряженных посредством трения с внутренней стенкой трубки под давлением, на поверхности подложки, при этом заряженные частицы прилипают к подложке без агрегации, формирование вогнуто-выпуклой структуры на поверхности подложки путем травления поверхности подложки с частицами как маской и одновременного удаления маски травлением. Изобретение обеспечивает возможность сократить число операций способа для формирования вогнуто-выпуклой структуры. 4 з.п. ф-лы, 8 ил.