SOLAR CELL

• Main Authors: VATAI MIVA, SAJTO KAZUJA, IDE JOSIO, MIZUNO JUSUKE, SHIMIZU MIKHO, KOMATSU TAKASI, ASARI SIN
• Format: Patent
• Language: English; Russian
• Published: 10.07.2012
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGYGENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION; SEMICONDUCTOR DEVICES; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS; TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINSTCLIMATE CHANGE

FIELD: physics. ^ SUBSTANCE: solar cell has a substrate having optical transparency; a photoelectric converter provided on the substrate, including a top-face electrode having optical transparency, a photoelectric conversion layer, and a back-face electrode having light reflectivity; and a low-refractive conductive layer, made of a conductive material having optical transparency, being adjacent to the photoelectric conversion layer, and lying on a side of the photoelectric conversion layer opposite to the substrate. The low-refractive conductive layer is placed between the photoelectric conversion layer and the back-face electrode. Only that low-refractive conductive layer lies between the photoelectric conversion layer and the back-face electrode. The thickness of the low-refractive conductive layer ranges from 40 nm to 80 nm, and the refraction index of the low-refractive conductive layer ranges from 1.4 to 2.0 relative wavelength from 450 nm to 1000 nm. ^ EFFECT: possibility of improving coefficient of reflection at the boundary surface between the low-refractive conductive layer and the photoelectric conversion layer and possibility of restricting increase of processes. ^ 2 cl, 4 dwg Солнечный элемент содержит: подложку, обладающую оптической прозрачностью; предусмотренный на подложке фотоэлектрический преобразователь, включающий в себя передний электрод, обладающий оптической прозрачностью, слой фотоэлектрического преобразования и тыльный электрод, обладающий светоотражающей способностью; и низкопреломляющий проводящий слой, выполненный из проводящего материала, обладающего оптической прозрачностью, прилегающий к слою фотоэлектрического преобразования и расположенный на противоположной подложке стороне слоя фотоэлектрического преобразования. Причем низкопреломляющий проводящий слой предусмотрен между слоем фотоэлектрического преобразования и тыльным электродом. Между слоем фотоэлектрического преобразования и тыльным электродом предусмотрен только этот низкопреломляющий проводящий слой. Толщина низкопреломляющего проводящего слоя составляет от 40 нм до 80 нм, а показатель преломления низкопреломляющего проводящего слоя составляет от 1,4 до 2,0 относительно длины волны от 450 нм до 1000 нм. Изобретение обеспечивает возможность улучшить коэффициент отражения на границе раздела между низкопреломляющим проводящим слоем и слоем фотоэлектрического преобразования и возможность сдерживать увеличение технологических процессов. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.