SENSOR DE PERFORMANCE E DE ENVELHECIMENTO PARA MEMÓRIAS SRAM E DRAM

A PRESENTE INVENÇÃO REFERE-SE A UM SENSOR PARA MEMÓRIAS SRAM E DRAM QUE IDENTIFICA E SINALIZA REDUÇÕES DE PERFORMANCE NA OPERAÇÃO DE LEITURAS E ESCRITA EM CÉLULAS DE MEMÓRIA, PARA APLICAÇÃO COMO SENSOR DE PERFORMANCE E/OU DE ENVELHECIMENTO EM CIRCUITOS DIGITAIS DESENVOLVIDOS EM NANOTECNOLOGIAS CMOS....

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Main Authors HUGO FERNANDES DA SILVA SANTOS, JORGE FILIPE LEAL COSTA SEMIÃO, ANDRÉ AZEVEDO DE SOUSA ROMÃO
Format Patent
LanguagePortuguese
Published 18.09.2017
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Summary:A PRESENTE INVENÇÃO REFERE-SE A UM SENSOR PARA MEMÓRIAS SRAM E DRAM QUE IDENTIFICA E SINALIZA REDUÇÕES DE PERFORMANCE NA OPERAÇÃO DE LEITURAS E ESCRITA EM CÉLULAS DE MEMÓRIA, PARA APLICAÇÃO COMO SENSOR DE PERFORMANCE E/OU DE ENVELHECIMENTO EM CIRCUITOS DIGITAIS DESENVOLVIDOS EM NANOTECNOLOGIAS CMOS. A PRESENTE INVENÇÃO É COMPOSTA POR UM DETETOR DE TRANSIÇÕES E POR UM DETETOR DE IMPULSOS. O DETETOR DE TRANSIÇÃO PERMITE GERAR UM IMPULSO POR CADA TRANSIÇÃO EXISTENTE NA LINHA DE BIT NUMA CÉLULA DE MEMÓRIA. A DURAÇÃO DESTE IMPULSO É DIRETAMENTE PROPORCIONAL À DURAÇÃO DO TEMPO DE TRANSIÇÃO DA LINHA DE BIT. O DETETOR DE IMPULSOS PERMITE GERAR IMPULSOS COM DURAÇÃO PROPORCIONAL AO TEMPO DE TRANSIÇÃO DE UM SINAL QUE COMUTA NA LINHA DE BIT; O DETETOR DE PICO PERMITE DETETAR QUANDO A DURAÇÃO DE UM IMPULSO GERADO PELO DETETOR DE TRANSIÇÃO É GRANDE O SUFICIENTE PARA INDICAR A EXISTÊNCIA DE TRANSIÇÕES LENTAS OCORRIDAS NA LINHA DE BIT, QUE INDIQUEM A EMINÊNCIA DE ERROS DE LEITURA OU DE ESCRITA NA MEMÓRIA.
Bibliography:Application Number: PT20150108852