MODULADOR DE IMPULSOS GENÉRICO DE ALTA TENSÃO

• Main Authors: HIREN CANACSINH, LUIS MANUEL DOS SANTOS REDONDO, JOSE FERNANDO ALVES DA SILVA
• Format: Patent
• Language: Portuguese
• Published: 22.05.2009
• Subjects: BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY; ELECTRICITY; PULSE TECHNIQUE

ESTA INVENÇÃO REFERE-SE À UTILIZAÇÃO INTENSIVA DE ELEMENTOS ACTIVOS, DO TIPO DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA COMANDADOS À ABERTURA E AO FECHO, PODENDO SER DO TIPO MOSFET, IGBT, GTO, TJB, SIT, MCT OU OUTRO DISPOSITIVO COM FUNÇÕES ANÁLOGAS, EM CONJUNTO COM DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA NÃO COMANDADOS DO TIPO DÍODO, NAS MALHAS DE CARGA E DESCARGA DE CONDENSADORES (3, 12, 15, 24) ARMAZENAMENTO DE ENERGIA NUMA TOPOLOGIA DE CIRCUITO MODULAR BASEADA NO GERADOR DE MARX, PARA OBTER UM MODULADOR DE IMPULSOS GENÉRICO DE ALTA TENSÃO, MIGAT, CARACTERIZADO POR GERAR IMPULSOS RECTANGULARES BIPOLARES (DE TENSÃO POSITIVA E TENSÃO NEGATIVA) OU UNIPOLARES (TENSÃO POSITIVA OU TENSÃO NEGATIVA) DE ALTA TENSÃO (KV) E ALTA-FREQUÊNCIA (KHZ), EM CARGAS (14) DO TIPO RESISTIVO, CAPACITIVO OU INDUTIVO. PARA CARGAS CAPACITIVAS, DESCARREGA AS CAPACIDADES DO SISTEMA ASSOCIADAS COM A CARGA, DEPOIS DE CADA IMPULSO POSITIVO E/OU NEGATIVO. PARA CARGAS INDUTIVAS, OU TRANSFORMADOR DE IMPULSOS PARA SUBIR O NÍVEL DA TENSÃO APLICADA À CARGA, FUNCIONA, POR CONDUÇÃO DE DISPOSITIVOS NÃO COMANDADOS (DÍODOS) EM RODA LIVRE, COM VALOR MÉDIO NULO DA TENSÃO NA CARGA, DEPOIS DA APLICAÇÃO DE IMPULSOS POSITIVOS OU NEGATIVOS. A TOPOLOGIA DE CIRCUITO INVENTADA VARIA, DE FORMA PROGRAMÁVEL EXTERIORMENTE, A FREQUÊNCIA BEM COMO A LARGURA DOS IMPULSOS E/OU FACTOR DE CICLO DOS IMPULSOS POSITIVO E/OU NEGATIVOS INDEPENDENTEMENTE, E AJUSTA O TEMPO DE SEPARAÇÃO (TEMPO DE RELAXAÇÃO) ENTRE OS IMPULSOS POSITIVO E NEGATIVO, A PARTIR DA UTILIZAÇÃO DE APENAS UMA FONTE DE ALIMENTAÇÃO (13), COM O TERMINAL NEGATIVO LIGADO À MASSA COMUM À CARGA (14), APENAS NO PROCESSO DE CARGA DOS CONDENSADORES (3, 12, 15, 24), SEM QUE ESTA PARTICIPE NO PROCESSO DE DESCARGA DOS CONDENSADORES SOBRE A CARGA. ADICIONALMENTE, LIMITA AS TENSÕES DE BLOQUEIO DOS SEMICONDUTORES À TENSÃO DE UM ESTÁGIO, OU SEJA, AO VALOR DA TENSÃO DA FONTE, NO FUNCIONAMENTO NORMAL, EM CASO DE DESIGUALDADE DE TEMPOS DE COMUTAÇÃO OU EM CASO DE FALHA DE UM ESTÁGIO.