Method of manufacturing a sensor element for body fluid analyzers and an active layer of the sensor element

• Main Authors: JANKOWSKA-ŚLIWIŃSKA, JOANNA, KACZMARSKI, JAKUB
• Format: Patent
• Language: English; Polish
• Published: 28.03.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania elementu czujnikowego do analizatorów płynów ustrojowych w postaci w tranzystora polowego typu MOSFET z przezroczystym kanałem wykonanym z tlenku indowo-galowo-cynkowego (In-Ga-Zn-O, IGZO) oraz warstwa aktywna tego elementu czujnikowego. Według sposobu najpierw wykonuje się kanał tranzystora nakładając na sztywne, krzemowe podłoże (Sin++), w temperaturze pokojowej warstwę mieszaniny prekursorów (IGZO) o grubości co najmniej 10 nm. Następnie podłoże z nałożoną tak warstwą poddaje się suszeniu i wygrzewaniu w temperaturze 300 - 500°C. Później wytrawia się warstwę (IGZO) znajdującą się poza obszarem kanału i na wybranych obszarach kanału wytwarza się kontakty omowe źródła (S) i drenu (D) oraz obszar bramki (G). Przedmiotem zgłoszenia jest też warstwa aktywna elementu czujnikowego, która wytworzona jest na krzemowym podłożu z prekursorów IGZO i zawiera aktywne grupy funkcyjne - grupy - OH, modyfikowane poprzez przyłączenie związku silanu.