Dual-mode heterostructure of the optically-pumped semiconductor laser

Przedmiotem wynalazku jest dwumodowa heterostruktura lasera półprzewodnikowego pompowanego optycznie umożliwiająca efektywne przełączanie emisji na dwu długościach fali. Heterostruktura posiada osadzone na półprzewodnikowym podłożu zwierciadło Bragga i wnękę rezonansową z co najmniej jedną warstwą b...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors MUSZALSKI JAN, TRAJNEROWICZ ARTUR, WÓJCIK-JEDLI SKA ANNA, BRODA ARTUR
Format Patent
LanguageEnglish
Polish
Published 22.06.2015
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
ELECTRICITY
Online AccessGet full text

Cover

More Information
Summary:Przedmiotem wynalazku jest dwumodowa heterostruktura lasera półprzewodnikowego pompowanego optycznie umożliwiająca efektywne przełączanie emisji na dwu długościach fali. Heterostruktura posiada osadzone na półprzewodnikowym podłożu zwierciadło Bragga i wnękę rezonansową z co najmniej jedną warstwą będącą jamą kwantową i emituje promieniowanie na długości fali ?1 w temperaturze T1 i na długości fali ?2 w temperaturze T2. W heterostrukturze tej grubość warstwy (1) oddzielającej warstwę (2) będącą jamą kwantową wnęki rezonansowej (6) od ostatniej warstwy zwierciadła Bragga (3) i grubość warstwy (4) oddzielającej warstwę (2), od warstwy (5) ograniczającej wnękę rezonansową (6) od strony powietrza wynosi od 105% do 115% grubości odpowiadającej połowie długości fali rezonansowej zwierciadła.
Bibliography:Application Number: PL20130406581