Method for increasing the active surface of the p-n junction thin-film solar cells produced by plasma sputtering

• Main Author: OLCHOWIK JAN
• Format: Patent
• Language: English; Polish
• Published: 05.08.2013
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGYGENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION; SEMICONDUCTOR DEVICES; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS; TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINSTCLIMATE CHANGE

Wynalazek dotyczy sposobu zwiekszenia powierzchni aktywnej zlacza p-n cienkowarstwowych baterii slonecznych wytwarzanych metoda sputeringu plazmowego, który polega na wsunieciu przy koncowym etapie formowania z rozpylanego materialu katody (2) bazy typu p pólprzewodnikowego fotoogniwa, równolegle nad jej powierzchnie (5) przeslony (4) ze zlotej siatki, zasilanej impulsowo poprzez elektrode (3) napieciem o regulowanym wspólczynniku wypelnienia a nastepnie, po zakonczeniu procesu tworzenia bazy, wysunieciu jej znad powierzchni warstwy i zamienieniu rozpylanego materialu katody na pólprzewodnik typu n, stanowiacy emiter fotoogniwa, przy czym katoda (2) i anoda (7) umieszczone sa w komorze prózniowej (1) i zasilane sa wysokim napieciem za pomoca zasilacza (6).