System for casting materials with fragmented structure and method for fragmentation of the structure with additional forming of the castings properties
Wynalazek dotyczy układu do odlewania materiałów o rozdrobnionej strukturze zawierających aluminium jako główny składnik, zwłaszcza materiałów o przekroju okrągłym i średnicy od 30 do 90 mm oraz płaskowników o szerokości od 30 cm do 90 mm i grubości od 5 cm do 20 mm w linii do poziomego ciągłego odl...
Saved in:
Main Authors | , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , |
---|---|
Format | Patent |
Language | English Polish |
Published |
19.09.2022
|
Subjects | |
Online Access | Get full text |
Cover
Loading…
Summary: | Wynalazek dotyczy układu do odlewania materiałów o rozdrobnionej strukturze zawierających aluminium jako główny składnik, zwłaszcza materiałów o przekroju okrągłym i średnicy od 30 do 90 mm oraz płaskowników o szerokości od 30 cm do 90 mm i grubości od 5 cm do 20 mm w linii do poziomego ciągłego odlewania, składający się z pieca odlewniczego, cewki elektromagnetycznej do mieszania ciekłego metalu oraz krystalizatora charakteryzującego się tym, że komora pieca topielno-odlewniczego (1) połączona jest z komorą mieszania elektromagnetycznego (3), która jest wyposażona w cewkę indukcyjną (2) do mieszania ciekłego metalu, przy czym odległość cewki indukcyjnej (2) od krystalizatora (4) wynosi od 1,5 cm do 8 cm. Wynalazek także dotyczy sposobu rozdrabniania struktury z dodatkowym kształtowaniem własności odlewów, zwłaszcza odlewów o przekroju okrągłym i średnicy od 30 do 90 mm oraz płaskowników o szerokości od 30 cm do 90 mm i grubości od 5 cm do 20 mm w linii do poziomego ciągłego odlewania, charakteryzującego się tym, że metal topi się w piecu topielno-odlewniczym (1), a następnie stopiony metal przepływa do komory mieszania elektromagnetycznego (3), w której przy użyciu cewki indukcyjnej (2) następuje jego intensywnie mieszanie oraz utrzymywana jest temperatura metalu od 770°C do 820°C, a następnie płynny metal wpływa do krystalizatora (4), gdzie krzepnie i krystalizuje przybierając strukturę rozdrobnioną, przy czym odległość cewki elektromagnetycznej (2) od krystalizatora (4) wynosi od 1,5 cm do 8 cm. |
---|---|
Bibliography: | Application Number: PL20170420949 |