NONDESTRUCTIVE, ABSOLUTE DETERMINATION OF THICKNESS OF OR DEPTH IN DIELECTRIC MATERIALS

Enhanced measurement of thickness in bulk dielectric materials is disclosed. Microwave radiation is partially reflected at interfaces where the dielectric constant changes (e.g., the back wall of a part). The reflected microwaves are combined with a portion of the outgoing beam at each of at least t...

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Main Author Jack R., Jr. LITTLE
Format Patent
LanguageEnglish
Spanish
Published 25.06.2018
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Summary:Enhanced measurement of thickness in bulk dielectric materials is disclosed. Microwave radiation is partially reflected at interfaces where the dielectric constant changes (e.g., the back wall of a part). The reflected microwaves are combined with a portion of the outgoing beam at each of at least two separate detectors. A pair of sinusoidal or quasi-sinusoidal waves results. Thickness or depth measurement is enhanced by exploiting the phase and amplitude relationships between multiple sinusoidal or quasi-sinusoidal standing waves at detectors sharing a common microwave source. These relationships are used to determine an unambiguous relationship between the signal and the thickness or depth. Se describe la medición mejorada del espesor en materiales dieléctricos a granel; la radiación de microondas se refleja parcialmente en interfaces en donde cambia la constante dieléctrica (por ejemplo, la pared de fondo de una parte); las microondas reflejadas se combinan con una porción del haz de salida en cada uno de por lo menos los dos detectores separados; resulta un par de ondas sinusoidales o cuasi-sinusoidales; la medición del espesor o profundidad se mejora al explotar las relaciones de fase y amplitud entre las múltiples ondas estacionarias sinusoidales o cuasi-sinusoidales en los detectores que comparten una fuente de microondas común; estas relaciones se utilizan para determinar una relación no ambigua entre la señal y el espesor o profundidad.
Bibliography:Application Number: MX20160003448