INFRARED IMAGING DEVICE INTEGRATING AN IR UP-CONVERSION DEVICE WITH A CMOS IMAGE SENSOR

Imaging devices include an IR up-conversion device on a CMOS imaging sensor (CIS) where the up-conversion device comprises a transparent multilayer stack. The multilayer stack includes an IR sensitizing layer and a light emitting layer situated between a transparent anode and a transparent cathode....

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Main Authors PRADHAN, BHABENDRA K, SO, FRANKY, KIM, DO YOUNG
Format Patent
LanguageEnglish
Spanish
Published 23.01.2014
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Summary:Imaging devices include an IR up-conversion device on a CMOS imaging sensor (CIS) where the up-conversion device comprises a transparent multilayer stack. The multilayer stack includes an IR sensitizing layer and a light emitting layer situated between a transparent anode and a transparent cathode. In embodiments of the invention, the multilayer stack is formed on a transparent support that is coupled to the CIS by a mechanical fastener or an adhesive or by lamination. In another embodiment of the invention, the CIS functions as a supporting substrate for formation of the multilayer stack. Dispositivos de imágenes que incluyen un dispositivo de conversión ascendente de luz infrarroja en un sensor formador de imágenes de CMOS (CIS), en donde el dispositivo de conversión ascendente comprende una pila transparente de capas múltiples; la pila de varias capas incluye una capa sensibilizadora de luz IR y una capa emisora de luz capa situada entre un ánodo transparente y un cátodo transparente; en modalidades de la invención, la pila de capas múltiples está formada en un soporte transparente que está acoplado al CIS mediante un sujetador mecánico o un adhesivo o por laminación; en otra modalidad de la invención, el CIS funciona como sustrato para la formación de la pila de varias capas.
Bibliography:Application Number: MX20130014311