SOLUTION FOR INCREASING WAFER SHEET RESISTANCE AND/OR PHOTOVOLTAIC CELL POWER DENSITY LEVEL

Treating thin film amorphous or mono- or multi-crystalline silicon wafer substrate for use in a photovoltaic cell, the wafer substrate having at least one of a pn- or np junction and a partial phosphosilicate or borosilicate glass layer on a top surface of the wafer substrate, to increase at least o...

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Main Authors JOHANNES A.E. OOSTERHOLT, LUCAS M.H. GROENEWOUD, JOANNES T.V. HOOGBOOM, SABRINA RITMEIJER
Format Patent
LanguageEnglish
Spanish
Published 21.07.2011
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Summary:Treating thin film amorphous or mono- or multi-crystalline silicon wafer substrate for use in a photovoltaic cell, the wafer substrate having at least one of a pn- or np junction and a partial phosphosilicate or borosilicate glass layer on a top surface of the wafer substrate, to increase at least one of (a) the sheet resistance of the wafer and (b) the power density level of the photovoltaic cell made from said wafer. The treatment solution being an acidic treatment solution of a buffered oxide etch (BOE) solution of at least one tetraalkylammonium hydroxide, acetic acid, at least one non-ionic surfactant, at least one metal chelating agent, a metal free source of ammonia, a metal free source of fluoride ions, and water, mixed with an oxidizer solution and optionally water. Tratamiento de un sustrato de lámina de silicón amorfo o mono- o multi-cristalino de película delgada para utilizarse en una celda fotovoltaica, el sustrato de lámina tiene al menos uno de un acoplamiento pn- o np y una capa de vidrio de fosfosilicato o borosilicato parcial en una superficie superior del sustrato de lámina, para aumentar uno de (a) la resistencia de la hoja y (b) el nivel de densidad de energía de la celda fotovoltaica hecha de tal lámina. La solución de tratamiento es una solución de tratamiento ácida de una solución de grabado de óxido regulado en pH (BOE) de al menos un hidróxido de tetraalquilamonio, ácido acético, al menos un agente tensioactivo aniónico, al menos un agente quelante metálico, y una fuente de amonio sin metal, una fuente de iones de fluoruro sin metal, y agua, mezclados con una solución oxidante y opcionalmente agua.
Bibliography:Application Number: MX20110007413