히터 매립된 평면 도파로형 광스위치의 제조방법

본 발명은 광교환장치의 공간분할 스위칭소자를 실리콘 기판위에 실리카 도파로를 형성하여 집적도를 높히고, 종래의 소자의 문제점인 누화현상과 스위칭 속도, 스위칭전원등을 개선한 제조기술이다. 8×8 광스위치는 64개의 단위 광스위치와 손실로 인한 광신호의 레벨을 보정해 주기 위한 48개의 모조 광스위치로 구성된다. 입력단의 광신호 1~8은 출력단의 1'~8'로의 스위칭이 15개의 단계에서 이루어지도록 구성하였다. 단위 광스위치는 Mach-Zehnder소자를 기본구조로 입출력단에 아웃하는 도파로의 광신호를 결합할 수 있...

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Format Patent
LanguageKorean
Published 20.07.1996
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Summary:본 발명은 광교환장치의 공간분할 스위칭소자를 실리콘 기판위에 실리카 도파로를 형성하여 집적도를 높히고, 종래의 소자의 문제점인 누화현상과 스위칭 속도, 스위칭전원등을 개선한 제조기술이다. 8×8 광스위치는 64개의 단위 광스위치와 손실로 인한 광신호의 레벨을 보정해 주기 위한 48개의 모조 광스위치로 구성된다. 입력단의 광신호 1~8은 출력단의 1'~8'로의 스위칭이 15개의 단계에서 이루어지도록 구성하였다. 단위 광스위치는 Mach-Zehnder소자를 기본구조로 입출력단에 아웃하는 도파로의 광신호를 결합할 수 있는 3dB 커플러 2개로 구성된다. 스위칭 동작은 CrossState, Bar State로 스위칭되며, 포트와 포트간의 간격은 250㎛, 단위 광스위치간의 간격은 150㎛을 유지하고, 각각의 박막히터의 전원은 TTL소자에 인터페이스하여 히터 선택 스위치로 동작한다. 박막히터의 전원회로는 기판 최외각으로 유도하고 기계적인 가공으로 45도의 기울기를 갖는 경사면을 구성하여 전극이 노출되는 부분에 배선한다. 틸티드 이온식각을 8도 각도를 도파로를 식각하고 V홈으로 광섬유를 가이드하여 UV Curable Epoxy를 사용하여 도파로와 광섬유를 결합한다. The present invention relates to a method for fabricating the plane waveguide path type of the heater buried optical switch, and it exposes the thin film heater removing the second clad layer to speed the heat radiation of the thin film heater by forming flatly the first clad layer having the thin thickness of about 5-10 mu m on the channel waveguide path on which the channel waveguide path is formed on the lower clad layer, and forming the second upper clad layer in the thickness of about 15-20 mu m on the first clad layer and the thin film heater after the thin heater having the line width of about two times as compared with these of the channel waveguide path is formed at the channel waveguide path and the corresponding portion on the first upper clad layer. Therefore, the crosstalk between the neighboring channel waveguides can be protected since the heat generated in the thin film heater inhibits to transmit the neighboring channel waveguide paths, and the switch velocity accelerates as speeding the heat transmitting velocity, and it can operate at the low operational power.
Bibliography:Application Number: KR19940035167