다공성 실리콘 트렌치 및 캐패시터 구조

• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 22.05.1996
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 발명은 캐패시터 구조의 제1플레이트로서 다공정 실리콘을 사용하여 캐패시터의 가용 표면적을 확장시키고 그러므로써 정진용량을 증대시키는 캐패시터 구조를 제공한다. 본 발명은 또한 다공성 실리콘으로 둘러싸인 측벽을 가지는 트렌치 구조를 제공한다. 이러한 트렌치는 본 발명에 따른 캐패시터를 형성하기 위하여 사용될 수 있다. 본 발명에 따른 캐패시터 및 트렌치 구조를 제작하기 위한 방법이 또한 제공되었다. 다공정 실리콘은 전해적 양극 에칭에 의하여 만들어진다. The invention provides a capacitor structure utilizing porous silicon as a first plate of the capacitor structure, thereby greatly increasing the surface area available for the capacitor and thereby the capacitance attainable. The invention also provides a trench structure having a porous silicon region surrounding the sidewalls thereof. Such a trench can then be utilized to form a capacitor according to the subject invention. Methods of producing the capacitor and trench structures according to the subject invention are also provided. Porous silicon is produced utilizing electrolytic anodic etching.