Photoresist development with halide chemistries

• Main Authors: GOTTSCHO RICHARD A, WEIDMAN TIMOTHY WILLIAM, FAN YIWEN, TAN SAMANTHA SIAMHWA, LI DA, VOLOSSKIY BORIS, PAN YANG, YANG WENBING, YU JENGYI, PETER DANIEL, MARKS JEFFREY
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 30.08.2024
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CINEMATOGRAPHY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES

레지스트들의 현상은 예를 들어, 고분해능 패터닝의 맥락에서 패터닝 마스크를 형성하는데 유용하다. 현상은 수소 할라이드와 같은 할라이드-함유 화학 물질을 사용하여 달성될 수 있다. 금속 함유 레지스트 막은 건식 또는 습식 증착 기법을 사용하여 반도체 기판 상에 증착될 수도 있다. 레지스트 막은 EUV-감응 유기금속 옥사이드 또는 유기금속 함유 박막 레지스트일 수도 있다. 노출 후, 포토패터닝된 금속 함유 레지스트는 습식 또는 건식 현상을 사용하여 현상된다. Development of resists are useful, for example, to form a patterning mask in the context of high-resolution patterning. Development can be accomplished using a halide-containing chemistry such as a hydrogen halide. A metal-containing resist film may be deposited on a semiconductor substrate using a dry or wet deposition technique. The resist film may be an EUV-sensitive organo-metal oxide or organo-metal-containing thin film resist. After exposure, the photopatterned metal-containing resist is developed using wet or dry development.