MATERIAL AND METHOD FOR FORMING THIN FILM SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE PREPARED THEREFROM
본 발명은 박막 형성 물질, 박막 형성 방법, 이로부터 제조된 반도체 기판 및 반도체 소자에 관한 것으로, 환원 또는 촉매 반응을 수행하여 금속 박막 또는 금속 질화박막을 형성할 수 있는 소정의 물질을 박막 형성 물질로 적용함으로써 저항이 낮은 박막을 효과적으로 제조할 뿐 아니라 카본 등 리간드에 기인되는 박막의 불순물을 감소하고 비저항, 결정성 등의 박막 물성을 개선시킬 수 있는 박막 형성 물질, 박막 형성 방법, 이로부터 제조된 반도체 기판 및 반도체 소자 등을 제공하는 효과가 있다....
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Format | Patent |
Language | English Korean |
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30.08.2024
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Summary: | 본 발명은 박막 형성 물질, 박막 형성 방법, 이로부터 제조된 반도체 기판 및 반도체 소자에 관한 것으로, 환원 또는 촉매 반응을 수행하여 금속 박막 또는 금속 질화박막을 형성할 수 있는 소정의 물질을 박막 형성 물질로 적용함으로써 저항이 낮은 박막을 효과적으로 제조할 뿐 아니라 카본 등 리간드에 기인되는 박막의 불순물을 감소하고 비저항, 결정성 등의 박막 물성을 개선시킬 수 있는 박막 형성 물질, 박막 형성 방법, 이로부터 제조된 반도체 기판 및 반도체 소자 등을 제공하는 효과가 있다. |
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Bibliography: | Application Number: KR20240025544 |