PLASMA APPARATUS
플라즈마 장치는 플라즈마 챔버, 제 1 전극, 에지 링 및 제 1 전자석 모듈을 포함할 수 있다. 상기 플라즈마 챔버 내에 플라즈마가 형성될 수 있다. 상기 제 1 전극은 상기 플라즈마 챔버의 저면에 배치되어 기판을 지지할 수 있다. 상기 에지 링은 상기 제 1 전극의 상부면에 배치된 상기 기판을 둘러쌀 수 있다. 상기 제 1 전자석 모듈은 상기 제 1 전극 내에 배치되어 자기장을 이용해서 상기 플라즈마의 밀도를 제어할 수 있다. 따라서, 기판 상의 막을 정밀하게 제어된 밀도를 갖는 플라즈마를 이용해서 정밀하게 처리할 수가 있다....
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|---|---|
| Format | Patent |
| Language | English Korean |
| Published |
28.08.2024
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| Subjects | |
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| Abstract | 플라즈마 장치는 플라즈마 챔버, 제 1 전극, 에지 링 및 제 1 전자석 모듈을 포함할 수 있다. 상기 플라즈마 챔버 내에 플라즈마가 형성될 수 있다. 상기 제 1 전극은 상기 플라즈마 챔버의 저면에 배치되어 기판을 지지할 수 있다. 상기 에지 링은 상기 제 1 전극의 상부면에 배치된 상기 기판을 둘러쌀 수 있다. 상기 제 1 전자석 모듈은 상기 제 1 전극 내에 배치되어 자기장을 이용해서 상기 플라즈마의 밀도를 제어할 수 있다. 따라서, 기판 상의 막을 정밀하게 제어된 밀도를 갖는 플라즈마를 이용해서 정밀하게 처리할 수가 있다. |
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| AbstractList | 플라즈마 장치는 플라즈마 챔버, 제 1 전극, 에지 링 및 제 1 전자석 모듈을 포함할 수 있다. 상기 플라즈마 챔버 내에 플라즈마가 형성될 수 있다. 상기 제 1 전극은 상기 플라즈마 챔버의 저면에 배치되어 기판을 지지할 수 있다. 상기 에지 링은 상기 제 1 전극의 상부면에 배치된 상기 기판을 둘러쌀 수 있다. 상기 제 1 전자석 모듈은 상기 제 1 전극 내에 배치되어 자기장을 이용해서 상기 플라즈마의 밀도를 제어할 수 있다. 따라서, 기판 상의 막을 정밀하게 제어된 밀도를 갖는 플라즈마를 이용해서 정밀하게 처리할 수가 있다. |
| Author | KO JUNG MIN KIM HYUK JANG SUNG HO YOO SU YOUNG JO YOUNG HYUN KIM KYUNG HYUN NAM SANG KI CHUNG KYOUNG SOO SUNG DOUG YONG KIM NAM KYUN |
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