PLASMA APPARATUS

플라즈마 장치는 플라즈마 챔버, 제 1 전극, 에지 링 및 제 1 전자석 모듈을 포함할 수 있다. 상기 플라즈마 챔버 내에 플라즈마가 형성될 수 있다. 상기 제 1 전극은 상기 플라즈마 챔버의 저면에 배치되어 기판을 지지할 수 있다. 상기 에지 링은 상기 제 1 전극의 상부면에 배치된 상기 기판을 둘러쌀 수 있다. 상기 제 1 전자석 모듈은 상기 제 1 전극 내에 배치되어 자기장을 이용해서 상기 플라즈마의 밀도를 제어할 수 있다. 따라서, 기판 상의 막을 정밀하게 제어된 밀도를 갖는 플라즈마를 이용해서 정밀하게 처리할 수가 있다....

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Main Authors KIM NAM KYUN, KIM HYUK, JANG SUNG HO, JO YOUNG HYUN, KO JUNG MIN, NAM SANG KI, SUNG DOUG YONG, YOO SU YOUNG, CHUNG KYOUNG SOO, KIM KYUNG HYUN
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 28.08.2024
Subjects
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Summary:플라즈마 장치는 플라즈마 챔버, 제 1 전극, 에지 링 및 제 1 전자석 모듈을 포함할 수 있다. 상기 플라즈마 챔버 내에 플라즈마가 형성될 수 있다. 상기 제 1 전극은 상기 플라즈마 챔버의 저면에 배치되어 기판을 지지할 수 있다. 상기 에지 링은 상기 제 1 전극의 상부면에 배치된 상기 기판을 둘러쌀 수 있다. 상기 제 1 전자석 모듈은 상기 제 1 전극 내에 배치되어 자기장을 이용해서 상기 플라즈마의 밀도를 제어할 수 있다. 따라서, 기판 상의 막을 정밀하게 제어된 밀도를 갖는 플라즈마를 이용해서 정밀하게 처리할 수가 있다.
Bibliography:Application Number: KR20230022782