TEMPERATURE SENSOR

• Main Authors: KIM JUSUNG, NAM JAEWON, YOO HYUNYOUNG
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 27.08.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; MEASURING; MEASURING QUANTITY OF HEAT; MEASURING TEMPERATURE; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; TESTING; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR

본 발명은 스택 구조를 갖는 N-MOS 및 P-MOS 트랜지스터에서 출력되는 전압으로 온도를 측정하는 온도 센서에 관한 것이다. 본 발명의 목적은 동일한 타입의 MOS 트랜지스터를 스택 구조로 구성하여 온도에 선형적인 전압을 출력하고, 온도에 비례하는 N-MOS 트랜지스터에서 출력된 전압과 온도에 반비례하는 P-MOS 트랜지스터에서 출력된 전압 간 차이를 연산하여 출력 전압의 범위를 보다 넓게 하는 것이다. 본 발명의 일 측면에 따르면, 일단이 전원에 연결된 제1 MOS 트랜지스터, 일단이 상기 제1 MOS 트랜지스터의 타단과 연결되고, 타단이 그라운드와 연결된 제2 MOS 트랜지스터, 및 상기 제1 MOS 트랜지스터의 타단과 제2 MOS 트랜지스터의 일단이 연결된 노드의 전압에 기초하여 온도 정보를 제공하는 온도 검출부를 포함하되, 상기 제1 및 제2 MOS 트랜지스터는 N-MOS 트랜지스터 또는 P-MOS 트랜지스터이되, 동일한 타입이고, 상기 제1 및 제2 MOS 트랜지스터의 게이트는 공통으로 연결된 것을 특징으로 하는 온도 센서가 개시된다. 본 발명에 따르면, 동일한 타입의 제1 MOS 트랜지스터와 제2 MOS 트랜지스터가 스택구조로 연결되고 제1 MOS 트랜지스터와 제2 MOS 트랜지스터의 게이트가 공통으로 연결되어 제1 MOS 트랜지스터 및 제2 MOS 트랜지스터가 OFF 상태여도 온도 변화에 따른 출력 전압이 발생할 수 있다. The present invention relates to a temperature sensor that measures temperatures using voltages output from N-MOS and P-MOS transistors having a stack structure. The objective of the present invention is to constitute MOS transistors of the same type to have a stack structure so as to output voltages linear to temperature and to calculate a difference between a voltage that is output from an N-MOS transistor and is proportional to temperature and a voltage that is output from a P-MOS transistor and is inversely proportional to temperature, thereby widening the range of output voltages.