기판 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치

• Main Authors: HONDA MASANOBU, KATSUNUMA TAKAYUKI
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 27.08.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

개시되는 기판 처리 방법은 기판을 준비하는 공정을 포함한다. 기판은 제1 영역과 이 제1 영역 상에서 개구를 제공하는 제2 영역을 포함한다. 기판 처리 방법은 제1 가스로부터 생성된 제1 플라즈마를 이용하여 제2 영역의 꼭대기부 상에 우선적으로 꼭대기부 퇴적물을 형성하는 공정을 더 포함한다. 기판 처리 방법은 꼭대기부 퇴적물의 표면 및 개구를 규정하는 측벽면에 상기 개구의 깊이 방향을 따라 그 두께가 감소하는 제1 막을 형성하는 공정을 더 포함한다. The disclosed substrate treatment method includes a step for preparing a substrate. The substrate includes a first region and a second region that provides an opening over the first region. The substrate treatment method also includes a step for preferentially forming a top section deposit on the top section of the second region by using a first plasma generated from a first gas. The substrate treatment method also includes a step for forming, in a side wall surface that demarcates the opening and the front surface of the top section deposit, a first film having a reduced thickness in the depth direction of said opening.