PATTERNING PROCESS

• Main Authors: KOBAYASHI NAOKI, ISHIWATA KENTA, IWAMORI SHOHEI, KORI DAISUKE
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 22.08.2024
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CINEMATOGRAPHY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES

[과제] 기판에 손상을 주지 않고서 미세한 패턴을 간편하면서 또한 효율적으로 형성할 수 있는 패턴 형성 방법을 제공하는 것. [해결 수단] 피가공 기판 상에 유기 하층막, 주석 함유 중간막 및 상층 레지스트막을 형성하고, 상층 레지스트 패턴을 형성하고, 주석 함유 중간막에 상층 레지스트 패턴을 전사하여, 주석 함유 중간막의 일부가 패턴의 상부에 남은 유기 하층막 패턴을 형성하고, 주석 함유 중간막의 일부를 드라이 에칭으로 제거하여, 유기 하층막 패턴을 덮도록 무기 규소 함유막을 형성하고, 유기 하층막 패턴의 상부를 노출시켜, 유기 하층막 패턴을 제거하여, 패턴 피치가 상층 레지스트 패턴의 1/2인 무기 규소 함유막 패턴을 형성하고, 무기 규소 함유막 패턴을 마스크로서 이용하여 피가공 기판을 가공하여, 피가공 기판에 패턴을 형성하는 패턴 형성 방법. A patterning process capable of readily and efficiently forming a fine pattern without damaging a substrate is provided. The patterning process includes: forming an organic underlayer film, a tin-containing middle layer film, and an upper layer resist film on a substrate to be processed; forming an upper layer resist pattern; transferring the upper layer resist pattern to the tin-containing middle layer film, and forming an organic underlayer film pattern on an upper portion of which a portion of the tin-containing middle layer film is left; removing the portion of the tin-containing middle layer film by dry-etching; forming an inorganic silicon-containing film so as to cover the organic underlayer film pattern; exposing the upper portion of the organic underlayer film pattern; removing the organic underlayer film pattern to form an inorganic silicon-containing film pattern with a pattern pitch that is 1/2 of that of the upper layer resist pattern; and processing the substrate to be processed while using the inorganic silicon-containing film pattern as a mask to form a pattern in the substrate to be processed.